长鑫存储技术有限公司刘翔获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利铁电存储器及其数据读取方法和数据写入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170070B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310707370.8，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权铁电存储器及其数据读取方法和数据写入方法是由刘翔设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电存储器及其数据读取方法和数据写入方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种铁电存储器及其数据读取方法和数据写入方法，涉及半导体技术领域，用于解决存储密度低的技术问题。该铁电存储器包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括呈阵列布置的多个存储单元，每一存储单元存储n比特位数据，其中，每一存储单元包括：晶体管和以及耦接晶体管的2n‑1个铁电电容，n为大于1的正整数；多条字线，每一字线耦接至存储单元阵列中行布置的存储单元；多条位线，每一位线耦接至存储单元阵列中列布置的存储单元。利用2n‑1个铁电电容的极化方向可以确定2n种存储状态，每种存储状态对应一种数据，以使2n‑1个铁电电容存储n比特位数据，实现铁电存储器的多态存储，提高铁电存储器的存储密度。
本发明授权铁电存储器及其数据读取方法和数据写入方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电存储器，其特征在于，包括： 存储单元阵列，所述存储单元阵列包括呈阵列布置的多个存储单元，每一所述存储单元存储n比特位数据，其中，每一所述存储单元包括：晶体管和以及耦接所述晶体管的2n-1个铁电电容，所述n为大于1的正整数；每一所述铁电电容包括相对设置的第一极板、第二极板，以及填充在所述第一极板和所述第二极板之间的介质层，所述2n-1个铁电电容沿第一方向依次排布，2n-1个所述第一极板连接成一体结构，2n-1个所述介质层连接成一体结构； 多条字线，每一所述字线耦接至所述存储单元阵列中行布置的所述存储单元； 多条位线，每一所述位线耦接至所述存储单元阵列中列布置的所述存储单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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