中国电子科技集团公司第十三研究所余浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411135378.2，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法是由余浩;何泽召;周闯杰;蔚翠;刘庆彬;马孟宇;李鹏雨;冯志红设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件及制造方法技术领域，凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管包括金刚石衬底、i‑p++‑i三层delta掺杂结构、源电极、漏电极、N型掺杂单晶金刚石外延薄膜和凹槽栅极，制备方法包括依次制备上述结构。本发明提供的一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，i‑p++‑i三层delta掺杂结构具备高载流子浓度和高迁移率的掺杂沟道，能形成PN结来耗尽沟道载流子，能有效调控器件开关，而且在栅漏漂移区内，形成纵向PN结能够调制电场分布，有效提高器件击穿电压，能避免形成空间电荷区导致寄生电阻增大，通过凹槽栅极可以在实现上述结构的同时，调制电场提高器件击穿电压。
本发明授权一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管，其特征在于，包括： 金刚石衬底； 第一金刚石外延层，形成于所述金刚石衬底上表面； delta掺杂P型沟道层，形成于所述第一金刚石外延层上表面； 源电极，形成于所述delta掺杂P型沟道层上表面； 漏电极，形成于所述delta掺杂P型沟道层上表面且与所述源电极间隔设置； 第二金刚石外延层，形成于所述delta掺杂P型沟道层上表面且位于所述源电极和所述漏电极之间； N型掺杂单晶金刚石外延薄膜，形成于所述第二金刚石外延层上表面，在所述N型掺杂单晶金刚石外延薄膜上表面刻蚀形成栅槽，所述栅槽向所述delta掺杂P型沟道层延伸； 凹槽栅极，形成于所述栅槽内的所述N型掺杂单晶金刚石外延薄膜上表面，形成凹槽栅结构。
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