长鑫存储技术有限公司冯道欢获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119173028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310699691.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由冯道欢;廖昱程;蒋懿;赵文礼;胡敏锐;杨晨设计研发完成，并于2023-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底；位于衬底表面沿第一方向延伸、且沿第二方向交替排列的有源条和第一沟槽、以及位于有源条表面、沿第一方向间隔排布的多个有源柱；第一隔离层，沿第一方向延伸、且位于第一沟槽的底部；位线结构，位于第一隔离层的顶表面上、且覆盖部分有源条的侧壁；第一隔离结构，位于第一沟槽中的相邻的位线结构之间；空气隙，位于第一隔离结构中；其中，第一方向与第二方向相交、且位于衬底所在平面内。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于， 包括： 衬底； 位于所述衬底表面沿第一方向延伸、且沿第二方向交替排列的有源条和第一沟槽、以及位于所述有源条表面、沿所述第一方向间隔排布的多个有源柱； 第一隔离层，沿所述第一方向延伸、且位于所述第一沟槽的底部； 位线结构，位于所述第一隔离层的顶表面上、且覆盖部分所述有源条的侧壁； 第一隔离结构，位于所述第一沟槽中的相邻的所述位线结构之间； 空气隙，位于所述第一隔离结构中； 其中，所述第一方向与所述第二方向相交、且位于所述衬底所在平面内； 所述有源条包括位于所述衬底表面的第一半导体层、第一绝缘层和欧姆接触层； 所述第一隔离层位于所述第一半导体层之间的第一沟槽中，所述第一绝缘层沿第三方向的底表面超出于所述第一隔离层沿所述第三方向的顶表面；所述第三方向与所述衬底所在的平面相交； 所述位线结构覆盖所述第一绝缘层、所述欧姆接触层以及未被所述第一隔离层覆盖的部分所述第一半导体层侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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