深圳市美浦森半导体有限公司何昌获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种SGT晶体管及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411320243.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种SGT晶体管及制作方法是由何昌;张光亚;杨勇;朱勇华设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SGT晶体管及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种SGT晶体管及制作方法，通过在沟槽内的栅氧化层的表面上形成与衬底的表面高度齐平的第二氧化层，并去除第二氧化层两侧的氮化硅，以及在第二氧化层两侧填充低于衬底的表面高度的第二多晶硅，使得第二多晶硅呈现相对狭小的长条状结构，实现栅源之间的寄生电容的明显降低，从而有效提高了器件的开关频率，降低了开关损耗。
本发明授权一种SGT晶体管及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种SGT晶体管的制作方法，其特征在于，包括： S100、提供一衬底100，并在所述衬底100上形成多个沟槽200； S200、在所述沟槽200内以及所述衬底100的表面上依次形成第一氧化层201以及第一多晶硅202； S300、刻蚀所述第一氧化层201以及所述第一多晶硅202，并在所述氧化层的表面以及所述第一多晶硅202的表面上依次形成栅氧化层203和氮化硅204； S400、在所述沟槽200内的所述栅氧化层203的表面上形成与所述衬底100的表面高度齐平的第二氧化层205，并去除所述第二氧化层205两侧的氮化硅204； S500、在所述第二氧化层205两侧填充低于所述衬底100的表面高度的第二多晶硅206； S600、在多个所述沟槽200的邻侧对应形成多个层叠设置的P型阱区300以及N型源区400； S700、于所述第一氧化层201的表面、所述第二多晶硅206的表面以及所述第二氧化层205的表面上覆盖介质层500，并在所述介质层500上开设多个穿插至所述P型阱区300的接触孔600； S800、于多个所述接触孔600内以及所述介质层500的表面上覆盖金属层700。
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