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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种基于ALD工艺制备碲薄膜自驱动偏振光电探测器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411346850.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于ALD工艺制备碲薄膜自驱动偏振光电探测器的方法是由陈杰威;郑涛;王文晓;李君毅;李丽华;郭倩怡;杨中民设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于ALD工艺制备碲薄膜自驱动偏振光电探测器的方法在说明书摘要公布了：本发明属于偏振光电探测器领域，具体公开了一种基于ALD工艺制备碲薄膜自驱动偏振光电探测器的方法，先采用ALD工艺在绝缘衬底上沉积碲薄膜；在绝缘衬底上的碲薄膜两端制备源电极和漏电极；采用ALD工艺在靠近源电极一侧的碲薄膜上沉积Al2O3薄膜；退火工艺处理，得到碲薄膜自驱动偏振光电探测器。与现有技术相比，本发明所用制备方法工艺可控、热预算低，具有更高的工艺兼容性，有利于实现工业化、大批量生产；本发明制备的碲薄膜自驱动偏振光电探测器具有出色的偏振光电探测能力，无需任何外部电压；因此，本发明制备的碲薄膜自驱动偏振光电探测器自驱动偏振灵敏特性优异，可应用在低功耗偏振光电探测领域，具有很强的市场前景和发展潜力。

本发明授权一种基于ALD工艺制备碲薄膜自驱动偏振光电探测器的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ALD工艺制备碲薄膜自驱动偏振光电探测器的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将绝缘衬底清洗、干燥后放入原子层沉积腔室内，在绝缘衬底上沉积碲薄膜；沉积碲薄膜过程中所用的碲前驱体为TeSiMe32和TeOEt4两种组分，或TeSiMe32、TeOEt4和MeOH三种组分，原子层沉积腔室的反应腔加热温度为10-100℃，压强为10-100mTorr，碲前驱体的流量为20-300sccm，单次通入时间为0.1-5s； S2、在绝缘衬底上的碲薄膜两端制备源电极和漏电极； S3、在靠近源电极一侧的碲薄膜上设置Al2O3薄膜沉积窗口，放入原子层沉积腔室内，在Al2O3薄膜沉积窗口的碲薄膜上沉积Al2O3薄膜，Al2O3薄膜的一侧壁与源电极的一侧壁连接；所述Al2O3薄膜的厚度小于源电极和漏电极的厚度； S4、沉积Al2O3薄膜后在氮气或氩气氛围下进行退火工艺处理，退火温度为200-500℃，退火时间为10-60min，利用Al2O3薄膜中Al离子对碲薄膜进行n型电子掺杂，得到碲薄膜自驱动偏振光电探测器。

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