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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种绿光LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411360644.1，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种绿光LED是由尹以安;韦克俊;莫淇予;谢雅芳设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绿光LED在说明书摘要公布了：本发明涉及一种绿光LED，包括依次层叠于衬底上的n型层、多量子阱层、超晶格电子阻挡层、p型层和p型电极；多量子阱层包括n个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构由InGaN层、第一GaN层、AlGaN插入层和第二GaN层依次层叠而成，AlGaN插入层的Al组分沿衬底指向p型层的方向上逐层增大；超晶格电子阻挡层由m个周期的AlGaNGaN叠层和设置于该叠层上的AlGaN厚层组成；该多量子阱层和超晶格电子阻挡层的设置有效提高了势垒高度，降低了电子泄露，缓解了热电子的移动速度，促进载流子的更快扩散，改善电流拥堵作用，具有更优的辐射发光性能和更高的调制带宽。

本发明授权一种绿光LED在权利要求书中公布了：1.一种绿光LED，其特征在于，包括依次层叠于衬底上的n型层、多量子阱层、超晶格电子阻挡层、p型层和p型电极； 所述多量子阱层包括n个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构由InGaN层、第一GaN层、AlGaN插入层和第二GaN层依次层叠而成，所述多量子阱层中，AlGaN插入层的Al组分沿衬底指向p型层的方向上逐层增大，2≤n≤5； 所述超晶格电子阻挡层由m个周期的AlGaNGaN叠层和设置于该叠层上的AlGaN厚层组成，2≤m≤5，所述AlGaNGaN叠层中，AlGaN层的Al组分为0.2； 所述多量子阱层中，第一个周期的量子阱结构中AlGaN插入层的Al组分为0.04，最后一个周期的量子结构中AlGaN插入层的Al组分为0.2，相邻周期的量子阱结构中AlGaN插入层的Al组分的差值恒定； 单个周期的量子阱结构中，InGaN层的厚度为3nm，第一GaN层的厚度为3nm，AlGaN插入层的厚度为1~2nm，第二GaN层的厚度为3nm。

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