长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277762B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310778257.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、存储器及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构、存储器及其制备方法，包括有源柱、两个沟道层、两个栅极及两个绝缘层，两个沟道层分别位于有源柱的沿第一方向相对的两表面，沟道层包括沿第一方向背离有源柱的第一表面及沿第二方向相对的第二表面及第三表面，第一方向与第二方向相交；两个栅极分别覆盖一沟道层的第一表面、第二表面及第三表面；两个绝缘层分别位于有源柱的沿第二方向相对的表面，且位于两个栅极之间，至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中晶体管沟道的宽度。
本发明授权半导体结构、存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 有源柱； 两个沟道层，分别位于所述有源柱的沿第一方向相对的两表面，所述沟道层包括沿所述第一方向背离所述有源柱的第一表面及沿第二方向相对的第二表面及第三表面，所述第一方向与所述第二方向相交； 两个栅极，分别覆盖一所述沟道层的第一表面、第二表面及第三表面； 两个绝缘层，分别位于所述有源柱的沿所述第二方向相对的表面，且位于所述两个栅极之间； 还包括位于所述栅极的沿第三方向相对两侧的位线、电容；所述第三方向与所述第一方向、所述第二方向均相交； 所述电容位于所述有源柱的沿所述第三方向远离所述位线的一端。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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