长鑫存储技术有限公司蒋懿获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310809966.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的形成方法是由蒋懿;肖德元;冯道欢;孔祥波;邱云松;廖昱程设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构的形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括阵列区域和外围区域，阵列区域上包括多个间隔排布的有源柱；形成覆盖阵列区域和外围区域的介质层、覆盖外围区域的介质层的侧壁和顶面的隔离层、以及覆盖隔离层的覆盖层，介质层沿第一方向的宽度为40nm～100nm；去除阵列区域的部分介质层、并去除外围区域的覆盖层，暴露有源柱；形成覆盖阵列区域和外围区域的导电材料层；去除阵列区域的部分导电材料层和外围区域的全部的导电材料层，形成与有源柱电连接的导电层。本公开降低了半导体结构的制造成本，并改善了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底，所述衬底包括阵列区域、以及沿第一方向位于所述阵列区域外部的外围区域，所述阵列区域上包括多个间隔排布的有源柱，所述第一方向平行于所述衬底的顶面； 形成覆盖所述阵列区域和所述外围区域的介质层、覆盖所述外围区域的所述介质层的侧壁和顶面的隔离层、以及覆盖所述隔离层的覆盖层，其中，位于所述阵列区域与所述外围区域交界处覆盖所述有源柱侧壁的所述介质层沿所述第一方向的宽度为40nm～100nm； 去除所述阵列区域的部分所述介质层、并去除所述外围区域的所述覆盖层，暴露所述有源柱； 形成覆盖所述阵列区域和所述外围区域的导电材料层； 去除所述阵列区域的部分所述导电材料层和所述外围区域的全部的导电材料层，形成与所述有源柱电连接的导电层。
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