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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411151625.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法是由张瑜洁;陈彤;胡慧娜设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成续流区及P型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型阱区、掩蔽层及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，形成凹槽，之后氧化形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；能有效降低器件的导通电阻、降低器件的体二极管导通损耗、提高器件的开关速度。

本发明授权一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成续流区； 步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型源区，续流区外侧面连接至P型源区内侧； 步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向续流区进行离子注入，形成P型阱区； 步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向续流区进行离子注入，形成掩蔽层； 步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向续流区进行离子注入，形成N型源区，P型阱区上侧面连接至N型源区下侧面； 步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层以及续流区，形成凹槽，凹槽设于续流区内，之后氧化形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽，栅介质层下部设于凹槽内，栅介质层的外侧分别连接N型源区以及P型阱区，栅介质层的下侧面连接至掩蔽层上侧面； 步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层，栅极金属层设于沟槽内； 步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 所述碳化硅衬底、漂移层以及续流区均为N型；所述掩蔽层为P型。

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