重庆大学董小闵获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利具有行程敏感阻尼的无源式磁流变阻尼器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119289024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411444070.6,技术领域涉及:F16F9/53;该发明授权具有行程敏感阻尼的无源式磁流变阻尼器是由董小闵;吴礼繁;徐笛;欧阳健国设计研发完成,并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有行程敏感阻尼的无源式磁流变阻尼器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种具有行程敏感阻尼的无源式磁流变阻尼器,涉及阻尼减振领域,包括缸筒、在缸筒内壁可轴向移动的变间隙工作筒、设置于变间隙工作筒内的活塞组件和设置于缸筒端部用于将缸筒封堵的缸盖,所述缸筒内充满磁流变液,所述变间隙工作筒的内壁呈轮廓面设置且内壁沿轴向中心对称,所述活塞组件包括活塞头和活塞杆,所述活塞杆一端穿过缸盖,所述活塞头包括设置于活塞杆端部用于产生磁场的永磁体,所述缸筒上设置有用于调节变间隙工作筒在缸筒内移动到调节组件;能够避免使用电控系统,在特定的环境中能够提供稳定且可靠的阻尼特性,阻尼器的阻尼力能够根据振动幅值提供不同的阻尼力值。
本发明授权具有行程敏感阻尼的无源式磁流变阻尼器在权利要求书中公布了:1.一种具有行程敏感阻尼的无源式磁流变阻尼器,其特征在于:包括缸筒1、设置在缸筒1内部并在缸筒内壁可轴向移动的变间隙工作筒2、设置于变间隙工作筒2内的活塞组件3和设置于缸筒1端部用于将缸筒1封堵的缸盖4,缸筒1为一端开口的封闭结构,所述缸筒1内充满磁流变液,所述变间隙工作筒2的内壁呈轮廓面设置且内壁沿轴向中心对称,所述活塞组件3包括活塞头31和活塞杆32,所述活塞杆31一端穿过缸盖4,所述活塞头31包括设置于活塞杆31端部用于产生磁场的永磁体311,所述缸筒1上设置有用于调节变间隙工作筒2在缸筒1内移动的调节组件5;当变间隙工作筒2在缸筒1内移动时,活塞头31与变间隙工作筒2内壁的间隙的厚度也随之改变,阻尼器能够产生与行程相关联的阻尼力; 所述调节组件5包括螺纹套设于缸筒1上的调节套筒51和滑动设置于缸筒1内的推力环52,所述调节变间隙工作筒2的端部抵触于推力环52上,转动所述调节套筒51可驱动推力环52移动使调节变间隙工作筒2在缸筒1内移动; 所述缸筒1内设置有复位弹簧11,所述复位弹簧11的两端分别抵触于缸筒1内壁和调节变间隙工作筒2远离推力环52的一端; 所述推力环52的外壁螺纹连接有调节柱53,所述调节套筒51的内壁设置有容纳调节柱53的环形凹槽511,所述缸筒1的侧壁上设置有供调节柱53移动的通槽12。
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