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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411380760.X，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS及其制备方法是由周海;施广彦;胡臻;何佳设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS及其制备方法，包括：在碳化硅衬底上形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一沟道区、第一N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成隔离区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第二沟道区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型阱区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第二N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成体二极管金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积形成栅介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，分别形成源极金属层和漏极金属层，去除阻挡层，完成制备；进行双沟道结构设计，降低器件的导通电阻。

本发明授权一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双沟道平面栅碳化硅LDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对碳化硅衬底进行离子注入，形成第一沟道区，离子注入能量为230-330kev； 步骤2、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对碳化硅衬底进行离子注入，形成第一N型源区，所述第一N型源区内侧面连接至第一沟道区外侧面，离子注入能量为10-330kev； 步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对碳化硅衬底以及第一N型源区进行离子注入，形成隔离区，隔离区下侧面分别连接第一沟道区以及第一N型源区；隔离区外侧面连接第一N型源区内侧面，离子注入能量为130-230kev； 步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对碳化硅衬底进行离子注入，形成第二沟道区，第二沟道区下侧面连接至隔离区上侧面，第二沟道区左侧面连接至所述第一N型源区，离子注入能量为10-130kev； 步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对碳化硅衬底以及第一N型源区进行离子注入，形成P型阱区，离子注入能量为10-130kev，P型阱区下侧面连接至隔离区，P型阱区左侧面连接至第二沟道区右侧面，P型阱区右侧面连接至第一N型源区； 步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对碳化硅衬底进行离子注入，形成第二N型源区，第二N型源区下侧面连接至隔离区上侧面，离子注入能量为10-130kev； 步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀碳化硅衬底至所述隔离区上侧面，淀积金属，形成体二极管金属层，体二极管金属层下侧面连接至隔离区； 步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成栅介质层，栅介质层连接至P型阱区； 步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层，栅极金属层连接至栅介质层； 步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，分别形成源极金属层和漏极金属层，去除阻挡层，完成制备；源极金属层下侧面分别连接至第二N型源区上侧面以及体二极管金属层上侧面；漏极金属层连接至第一N型源区； 所述第一沟道区和第二沟道区均为N型，所述隔离区为P型。

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