买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所申请的专利基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411378111.6，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法是由马杰;张龙;彭麒维;刘斯扬;孙伟锋设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长P型外延与N型漂移区，在N型漂移区内有P型埋层，第一，第二P型阱掺杂区，第一N型阱掺杂区，第一与第二N型高掺杂区，第一与第二P型高掺杂区，在第二P型高掺杂区内有氧化层与辅助反型金属，在N型漂移区上方设有氧化层介质，刻蚀氧化层介质引出源、漏、栅金属电极。制备方法包括获取衬底，衬底上生长外延层，外延层上生长漂移区，高能离子注入形成P型埋层，在漂移区中进行离子注入形成不同类型掺杂阱与高掺杂，在第二P型阱掺杂区刻蚀生长氧化层淀积反型辅助金属电极并构成拓展导电结构，生长层间介质，刻蚀，淀积金属形成源、漏、栅电极。

本发明授权基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于拓展导电沟道的碳化硅高压JFET器件，包括： N型衬底005，在N型衬底005上生长P型外延006，在P型外延006上生长有N型漂移区007，在N型漂移区007内设有P型埋层003、第一P型阱掺杂区001、第二P型阱掺杂区002、第一N型阱掺杂区004及第一N型高掺杂区012，所述第一P型阱掺杂区001触及P型埋层003， 所述第二P型阱掺杂区002的底部高于P型埋层003的上表面，当器件导通时，由第二P型阱掺杂区002与P型埋层003之间的N型漂移区007形成第一导通沟道111；所述第一N型高掺杂区012位于第一P型阱掺杂区001与第二P型阱掺杂区002之间且第一N型高掺杂区012与第一P型阱掺杂区001相接触， 在第一P型阱掺杂区001内设有第一P型高掺杂区011，在第二P型阱掺杂区002内设有第二P型高掺杂区021，在第一N型阱掺杂区004内设有第二N型高掺杂区041；在所述第一P型阱掺杂区001、第一P型高掺杂区011、第一N型高掺杂区012、第二P型阱掺杂区002、第二P型高掺杂区021、第一N型阱掺杂区004、第二N型高掺杂区041及N型漂移区007表面设有氧化层介质04F， 在所述第一P型高掺杂区011和第一N型高掺杂区012上引出源极金属电极并构成器件源极01S，在所述第二P型高掺杂区021上引出栅极金属电极并构成器件栅极02G，在所述第二N型高掺杂区041上引出漏极金属电极并构成器件漏极03D， 其特征在于， 所述第二P型高掺杂区021包括与第一P型高掺杂区011同方向并呈直线排列的两个或两个以上的第二P型高掺杂单元且相邻的第二P型高掺杂单元相分离；在相邻的第二P型高掺杂单元之间设有沟槽且沟槽的两侧面分别与相邻的第二P型高掺杂单元相抵触，在沟槽内设有拓展导电结构023并由拓展导电结构023形成第二导通沟道222，与第二P型高掺杂区021相连并具有等电位。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所，其通讯地址为：210000 江苏省南京市江宁区东南大学路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。