长鑫存储技术有限公司林超获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317098B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310828709.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由林超设计研发完成，并于2023-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；半导体柱，位于基底表面，半导体柱具有沟道区，半导体柱具有第一侧面，沟道区对应的至少部分第一侧面朝向半导体柱的中心凹陷；字线，字线至少覆盖沟道区对应的第一侧面。本公开实施例提供的半导体结构至少能够提升半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 半导体柱，位于所述基底表面，所述半导体柱具有沟道区，所述半导体柱具有第一侧面，所述沟道区对应的至少部分所述第一侧面朝向所述半导体柱的中心凹陷； 字线，所述字线至少覆盖所述沟道区对应的所述第一侧面； 其中，所述半导体柱还包括：位于所述沟道区两侧的掺杂区，所述沟道区以及所述掺杂区的排列方向垂直于所述基底表面，所述沟道区对应的部分所述第一侧面朝向所述半导体柱的中心凹陷形成第一凹槽，所述第一凹槽沿远离所述基底表面的方向延伸，且所述第一凹槽横跨所述掺杂区以及所述沟道区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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