买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119337787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411385147.7，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法是由刘红侠;黄俊杰;王树龙;陈树鹏;刘昌设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法，涉及集成电路技术领域，本发明实施例的基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法，将总剂量辐照仿真后的FDSOI器件状态保存以用于SRAM电路的总剂量效应仿真，可以综合考虑总剂量效应对电路中器件的阈值电压、互耦电容、寄生电阻等电学参数的影响，从而对辐照条件下，SRAM的噪声容限等参数进行更为准确的结果分析，这种方法可以克服现有电路级仿真的局限性。在TCAD中直接进行的仿真可以规避掉现有电路级仿真的器件模型带来的误差，使得仿真结果更为准确。

本发明授权基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法，其特征在于，包括： 步骤1：对FDSOINMOS器件和FDSOIPMOS器件分别进行结构建模，得到对应的器件结构模型； 步骤2：对所述器件结构模型添加Radiation模型和第一Traps模型，设置模型参数后进行总剂量辐照仿真，得到FDSOINMOS器件和FDSOINMOS器件对应的总剂量辐照仿真结果并将所述总剂量辐照仿真结果进行保存；其中，所述模型参数包括：所述Radiation模型的辐照剂量率和辐照时间以及所述第一Traps模型的空穴能级位置和空穴浓度； 步骤3：构建基于所述FDSOINMOS器件和所述FDSOIPMOS器件的SRAM电路模型，基于所述FDSOINMOS器件和所述FDSOINMOS器件的总剂量辐照仿真结果对所述SRAM电路模型进行电路仿真，得到总剂量辐照后的SRAM电路模型存储节点的电压曲线； 步骤4：根据所述总剂量辐照后的SRAM电路模型存储节点的电压曲线，确定总剂量辐照效应对所述SRAM电路模型的影响；所述步骤4包括： 步骤4.1：对比所述总剂量辐照后的SRAM电路模型存储节点的电压曲线与未经总剂量辐照的SRAM电路模型存储节点的电压曲线； 步骤4.2：根据所述总剂量辐照后的SRAM电路模型存储节点的电压曲线，确定不同辐照剂量下所述SRAM电路模型中左右两个交叉耦合的反相器的电压传输特性曲线； 步骤4.3：根据所述反相器的电压传输特性曲线确定不同辐照剂量下所述SRAM电路模型的保持静态噪声容限。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。