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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种谐振式ZVS隔离升压电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119341325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525732.2，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权一种谐振式ZVS隔离升压电路及其控制方法是由郑铭洋;刘佳仪;余华;李仲源;童载亮;刘宇桂;杨健俊设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种谐振式ZVS隔离升压电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种谐振式ZVS隔离升压电路及其控制方法，包括改进型Royer谐振与变压整流电路、电流滞回模式控制电路和半桥开关电路；半桥开关电路中第五、第六NMOS管的漏极引出到改进型Royer谐振与变压整流电路的第四电感一端，改进型Royer谐振与变压整流电路的输出电容两端接入电流滞回模式控制电路的反馈控制模块的两个输入端，改进型Royer谐振与变压整流电路的第一、第二NMOS管的源极接入电流滞回模式控制电路的检流电阻的一端，电流滞回模式控制电路的RS锁存器的正输出端接入半桥开关电路中半桥驱动模块的正输入端，负输出端接入半桥驱动模块的负输入端；本发明可实现在恒压输入的情况下，稳定的进行升压输出。

本发明授权一种谐振式ZVS隔离升压电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种谐振式ZVS隔离升压电路，其特征在于：包括改进型Royer谐振与变压整流电路I、电流滞回模式控制电路II和半桥开关电路III；所述半桥开关电路III中第五NMOS管M5的源极和第六NMOS管M6的漏极引出到改进型Royer谐振与变压整流电路I的第四电感L4的一端，所述改进型Royer谐振与变压整流电路I的输出电容Cout两端接入电流滞回模式控制电路II的反馈控制模块的两个输入端，所述改进型Royer谐振与变压整流电路I的第一、第二NMOS管M1、M2的源极接入电流滞回模式控制电路II的检流电阻Rs的一端，所述电流滞回模式控制电路II的RS锁存器U1的正输出端接入半桥开关电路III中半桥驱动模块的正输入端，负输出端接入半桥驱动模块的负输入端； 所述改进型Royer谐振与变压整流电路I包括第一到第四NMOS管M1、M2、M3、M4，谐振电容CR、变压器初级测的第一、第二电感L1、L2、变压器次级侧的第三电感L3、第四电感L4，用于整流的第一到第四二极管D1、D2、D3、D4，输出电容Cout和外部第一电源V1；其中，第一、第二NMOS管M1、M2的源极相连，第一NMOS管M1的栅极接入第四NMOS管M4的源极，第一NMOS管M1的漏极分别接入第三NMOS管M3的漏极和谐振电容CR的一端，第二NMOS管M2的栅极接入第三NMOS管M3的源极，第二NMOS管M2的漏极分别接入第四NMOS管M4的漏极和谐振电容CR的另一端，外部第一电源V1分别接入第三、第四NMOS管M3、M4的栅极，第一、第二电感L1、L2的两个异名端分别接入谐振电容CR的两端，第一、第二电感L1、L2的另外两个异名端相连，并接入第四电感L4的另一端，第一二极管D1的正级和第三二极管D3的负极接到第三电感L3的一端，第二二极管D2的正极和第四二极管D4的负极接到第三电感L3的另一端，第一二极管D1和第二二极管D2的负极相接，第三二极管D3和第四二极管D4的正极相接；第一二极管D1和第二二极管D2的负极接入输出电容Cout的一端，第三二极管D3和第四二极管D4的正极接入输出电容Cout的另一端。

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