买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州云镓半导体科技有限公司申请的专利一种氮化镓双向开关器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411461134.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种氮化镓双向开关器件及其制备方法是由李茂林;施雯;董志文;唐高飞设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓双向开关器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓双向开关器件及其制备方法。本发明提出的氮化镓双向开关器件的第一元胞结构、第二元胞结构和现有分立的氮化镓功率器件和Si功率器件相比，通过将分立的氮化镓功率器件的源极、栅极共用，显著降低器件比导通电阻，也就有效的降低了芯片的面积，进而降低芯片成本。引出了源极金属电极，将双向开关器件的场板和双向开关器件的衬底均与双向开关器件的源极电气连接，有效提升双向开关器件的鲁棒性，并且易于驱动控制。

本发明授权一种氮化镓双向开关器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓双向开关器件，其特征在于，包括第一元胞结构和第二元胞结构，所述第二元胞结构和所述第一元胞结构并联设置； 所述第一元胞结构包括：衬底，位于所述衬底表面的缓冲层，位于所述缓冲层表面的势垒层；第一漏极和第二漏极，所述第一漏极和第二漏极位于所述势垒层表面且间隔设置；第一栅极，所述第一栅极位于所述势垒层表面且设置于所述第一漏极和第二漏极之间；介质层，所述介质层位于所述势垒层、所述第一栅极、所述第一漏极和所述第二漏极的表面；位于所述介质层表面的源极金属电极；第一场板结构和第二场板结构，所述第一场板结构和第二场板结构位于所述介质层内且所述第一场板结构位于所述第一栅极和所述第一漏极之间，所述第二场板结构位于所述第一栅极和所述第二漏极之间，所述第一场板结构和第二场板结构均与所述源极金属电极相连，使得第一场板结构和第二场板结构对势垒层施加源极电压； 所述第二元胞结构包括：衬底，位于所述衬底表面的缓冲层，位于所述缓冲层表面的势垒层；位于所述势垒层表面的第三漏极、第四漏极、第二栅极、第三栅极和源极，所述源极位于所述第三漏极和所述第四漏极之间，所述第二栅极位于所述第三漏极和所述源极之间，所述第三栅极位于所述第四漏极和所述源极之间；介质层，所述介质层位于所述势垒层、所述第三漏极、所述第四漏极、所述第二栅极、所述第三栅极和所述源极的表面；位于所述介质层表面的源极金属电极，所述源极金属电极与所述源极相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州云镓半导体科技有限公司，其通讯地址为：310023 浙江省杭州市西湖区留下街道西溪路698号15号楼101-3室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。