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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体器件和半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383962B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411480147.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件和半导体器件的制备方法是由曹堪宇;应鹏展;李逛城;谢晨帆;陆丹晨;张新成设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括位线结构，位线结构包括位线和位线侧壁保护层，位线包括第一半导体层，金属导线层和位线盖层，位线侧壁保护层覆盖位线的两个侧壁；接触插塞，接触插塞位于相邻的位线结构之间；结合垫，结合垫位于接触插塞上，与接触插塞连接，结合垫覆盖部分位线结构的顶面，在位线结构顶面上断开；其中，结合垫包括第一金属材料层和第二金属材料层，第二金属材料层位于第一金属材料层上，第一金属材料层具有L型横截面。可以使相邻的结合垫相互断开，防止结合垫形成短路，同时第二金属材料层又不会减小太多而导致结合垫的电阻过大甚至导致结合垫断路。

本发明授权半导体器件和半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个位线结构，设置在衬底上，所述多个位线结构中的每个包括位线和位线侧壁保护层，所述位线包括第一半导体层、金属导线层和位线盖层，所述位线侧壁保护层覆盖所述位线的两个侧壁； 多个接触插塞，设置在衬底上，所述多个接触插塞位于相邻的所述位线结构之间，所述接触插塞在垂直于衬底的方向上的高度低于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度； 多个结合垫，所述多个结合垫位于所述多个接触插塞上，与所述多个接触插塞对应连接，所述多个结合垫在垂直于衬底的方向上的高度高于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度，所述结合垫覆盖部分所述位线结构的顶面，在所述位线结构顶面上断开； 其中，所述结合垫包括第一金属材料层和第二金属材料层，所述第二金属材料层位于所述第一金属材料层上，所述第一金属材料层具有L型横截面； 其中，所述第二金属材料层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在垂直于衬底的方向上的高度小于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度，所述第二部分在垂直于衬底的方向上的高度大于所述位线结构在垂直于衬底的方向上的高度，所述第一部分的曲率大于所述第二部分的曲率。

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