长鑫科技集团股份有限公司李秀升获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310921884.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法是由李秀升设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底内包括多个沿第一方向间隔排布的凹槽；进行第一次沉积处理，向凹槽内通入第一硅源气体以在凹槽的内壁形成第一半导体层直至剩余凹槽在第一方向的宽度为预设宽度；进行第二次沉积处理，向凹槽内循环通入第二硅源气体以形成第二半导体层，第二半导体层覆盖在第一半导体层的表面，且第二半导体层填充满凹槽，第二硅源气体的活性大于第一硅源气体的活性。可以提高半导体结构的可靠性。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内包括多个沿第一方向间隔排布的凹槽； 进行第一次沉积处理，向所述凹槽内通入第一硅源气体以在所述凹槽的内壁形成第一半导体层直至剩余所述凹槽在所述第一方向的宽度为预设宽度；进行第二次沉积处理，向所述凹槽内循环通入第二硅源气体以形成第二半导体层，所述第二半导体层覆盖在所述第一半导体层的表面，且所述第二半导体层填充满所述凹槽，所述第二硅源气体的活性大于所述第一硅源气体的活性，所述活性是指气体的扩散能力和或容易分解和或容易反应的能力。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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