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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411517523.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤;张长沙设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法，在带漏极金属层的碳化硅衬底上外延生长一第一漂移区；均流层，第二漂移区，漂移层包括第一漂移区以及第二漂移区；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成多个均匀间隔的掩蔽层，P型阱区，N型源区，N型区域，重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成绝缘介质层；淀积金属，形成栅极金属层，重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层；去除阻挡层，完成制备；提高器件耐漏极电压冲击的可靠性，并降低了器件的栅源电容，提高了器件的开关速度，降低器件的开关损耗，与此同时可以降低器件的体二极管导通损耗、提高器件的反向恢复速度。

本发明授权一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在带漏极金属层的碳化硅衬底上外延生长一第一漂移区； 步骤2、在所述第一漂移区上外延生长一均流层，所述均流层为N型； 步骤3、在均流层上外延生长一第二漂移区，漂移层包括第一漂移区以及第二漂移区，所述漂移层为N型； 步骤4、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成多个均匀间隔的掩蔽层，离子注入能量为230-300kev；所述掩蔽层位于所述均流层上方，所述掩蔽层为P型； 步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成P型阱区，离子注入能量为70-200kev； 步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对P型阱区进行离子注入，形成N型源区，离子注入能量为70-170kev； 步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成N型区域，离子注入能量为70-200kev； 步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层，之后氧化形成绝缘介质层； 步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及绝缘介质层，淀积金属，形成第一栅极金属区； 步骤10、淀积绝缘介质，使得绝缘介质与漂移层的上侧面等高； 步骤11、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及绝缘介质层至第一栅极金属区上侧面，淀积金属，形成第二栅极金属区，栅极金属层包括第一栅极金属区以及第二栅极金属区，所述栅极金属层为倒T字型； 步骤12、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及漂移层，淀积金属，形成源极金属层；去除阻挡层，完成制备。

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