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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种应用于低压输入LDO的过流保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119414916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411538834.8，技术领域涉及：G05F1/573；该发明授权一种应用于低压输入LDO的过流保护电路是由赵镱翔;袁泽艺;苟超设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于低压输入LDO的过流保护电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于低压输入LDO的过流保护电路，包括：包括：电流采样电路、运算放大器电路和电流比较电路；所述电流采样电路用于采样LDO负载电流并转换为电压信号；所述运算放大器电路用于保证采样的精确性并输出比较信号；所述电流比较电路用于将运算放大器电路输出的比较信号转换为电流信号并与参考电流源比较，在LDO的输出过流时限制输出功率管的电流。本发明电路输出管和采样管采样时各端口处于相同电位，具有采样精确，易于设计的特点，在电路设计中具有一定的通用性。

本发明授权一种应用于低压输入LDO的过流保护电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于低压输入LDO的过流保护电路，其特征在于，包括：电流采样电路、运算放大器电路和电流比较电路； 所述电流采样电路用于采样LDO负载电流并转换为电压信号； 所述运算放大器电路用于保证采样的精确性并输出比较信号； 所述电流比较电路用于将运算放大器电路输出的比较信号转换为电流信号并与参考电流源比较，在LDO的输出过流时限制输出功率管的电流； 所述运算放大器电路，包括：PMOS管P1-P10、NMOS管N4-N8、偏置电流源IBIAS1-IBIAS2、偏置电压源VBIAS1； PMOS管P1、P2、P3、P4的源极连接第一电源VIN、电流采样电路和电流比较电路； PMOS管P1漏极连接偏置电流源IBIAS1并且连接PMOS管P1、P2、P3、P4的栅极形成电流镜结构； PMOS管P5、P6的源极连接第二电源VCP，PMOS管P5的漏极连接偏置电流源IBIAS2并且连接PMOS管P5、P6的栅极形成电流镜结构； PMOS管P6的漏极连接PMOS管P7、P8的源极； PMOS管P2的漏极连接PMOS管P9、P10的源极； PMOS管P7、P8、P9、P10的栅极连接电流采样电路； PMOS管P7、P10的栅极连接NMOS管N4的漏极； PMOS管P3的漏极连接NMOS管N5的漏极，并且与NMOS管N7、N8的栅极连接； PMOS管P4的漏极连接NMOS管N6的漏极，并且连接电流采样电路和电流比较电路，将此处命名为VO； NMOS管N4、N5、N6的栅极连接偏置电压源VBIAS1； NMOS管N4的源极接地GND、电流采样电路和电流比较电路； PMOS管P7、P10的漏极连接NMOS管N5的源极，并且连接NMOS管N7的漏极； PMOS管P8、P9的漏极连接NMOS管N6的源极，并且连接NMOS管N8的漏极； NMOS管N7、N8的源极接地GND、电流采样电路和电流比较电路； PMOS管P7-P10与NMOS管N4-N8共同构成折叠式共源共栅结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第二十四研究所，其通讯地址为：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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