长鑫科技集团股份有限公司常庆环获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310934541.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由常庆环;马国锋;何家存设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：公开一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，基底内具有间隔排布的多个第一凹槽；形成导电层，导电层填充满第一凹槽且覆盖基底的表面；在导电层的表面形成间隔排布的掩膜层，掩膜层与第一凹槽之间部分重叠；对导电层进行预处理，预处理包括：以掩膜层为掩膜，图形化导电层并形成第二凹槽，其中，通过第二凹槽暴露导电层的侧壁；在侧壁面形成阻挡膜；对导电层进行刻蚀工艺以从导电层上端形成第三凹槽，其中，在刻蚀工艺中，覆盖阻挡膜的导电层的刻蚀速率小于未覆盖阻挡膜的导电层的刻蚀速率；形成导电柱，导电柱填充第三凹槽。本公开实施例提供的半导体结构及其制备方法至少有利于降低导电插塞与导电层之间的接触电阻。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内具有间隔排布的多个第一凹槽； 形成导电层，所述导电层填充满所述第一凹槽且覆盖所述基底的表面； 在所述导电层的表面形成间隔排布的掩膜层，所述掩膜层与所述第一凹槽之间部分重叠； 对所述导电层进行预处理，所述预处理包括：以所述掩膜层为掩膜，图形化所述导电层并形成第二凹槽，其中，通过所述第二凹槽暴露所述导电层的侧壁；在所述侧壁面形成阻挡膜； 对所述导电层进行刻蚀工艺以从所述导电层上端形成第三凹槽，其中，在所述刻蚀工艺中，覆盖所述阻挡膜的所述导电层的刻蚀速率小于未覆盖所述阻挡膜的所述导电层的刻蚀速率； 形成导电柱，所述导电柱填充所述第三凹槽。
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