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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种具有低电阻与密勒电容的非对称沟槽SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411607957.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有低电阻与密勒电容的非对称沟槽SiC MOSFET器件是由陈伟中;肖宇凡;周扬淇;吴傲;曾祥伟设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有低电阻与密勒电容的非对称沟槽SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有低电阻与密勒电容的新型非对称沟槽SiCMOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；形成于衬底一表面的漂移区；形成于漂移区表面的N‑CSL；形成于N‑CSL表面一侧的低势垒二极管；形成于N‑CSL表面另一侧的第二P‑well；形成于低势垒二极管表面且位于低势垒二极管两侧的沟槽栅和辅助沟槽栅；形成于N‑CSL表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的P‑base；形成于P‑base表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的源极N+区；形成于器件顶部的源极电极；形成于衬底另一表面的漏极电极。本发明可降低器件的比导通电阻，降低器件的密勒电容和栅极电荷，提高器件开关速度。

本发明授权一种具有低电阻与密勒电容的非对称沟槽SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有低电阻与密勒电容的非对称沟槽SiCMOSFET器件，其特征在于，该器件包括： N+衬底； 形成于所述N+衬底第一表面的N-Drift； 形成于所述N-Drift表面的N-CSL； 形成于所述N-CSL表面一侧的P型低势垒二极管； 形成于所述N-CSL表面另一侧的第二P-well； 形成于所述P型低势垒二极管表面且位于所述P型低势垒二极管两侧的沟槽栅和辅助沟槽栅； 形成于所述N-CSL表面且位于所述第二P-well和沟槽栅之间的P-base； 形成于所述P-base表面且位于所述第二P-well和沟槽栅之间的源极N+区； 形成于器件顶部的源极电极；以及 形成于所述N+衬底第二表面的漏极电极； 其中，所述P型低势垒二极管包括：形成于所述N-CSL表面一侧的第一P-well；形成于所述第一P-well表面且位于所述沟槽栅和辅助沟槽栅之间的P-Channel；以及形成于所述P-Channel表面且位于所述沟槽栅和辅助沟槽栅之间的源极P+区。

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