中国科学院大连化学物理研究所李京华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种提高离子迁移谱接收信号的装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119480606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411646604.3,技术领域涉及:H01J49/02;该发明授权一种提高离子迁移谱接收信号的装置及方法是由李京华;李东明;黄卫;宋思雨;花磊;李海洋设计研发完成,并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高离子迁移谱接收信号的装置及方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种提高离子迁移谱接收信号的装置和方法,包括法拉第盘、绝缘柱、法拉第盘屏蔽筒、盘前绝缘环和绝缘螺母,法拉第盘包括金属盘和金属杆,金属杆插入到中空绝缘柱内,金属杆上设有与绝缘螺母配合的外螺纹,金属杆远离金属盘侧的末端设有信号针凹槽;中空绝缘柱的一端插入到法拉第盘屏蔽筒内,另一端将法拉第盘与法拉第盘屏蔽筒之间隔离绝缘;所述法拉第盘屏蔽筒上设置有一个气孔,法拉第盘屏蔽筒的底面设置有安装槽,金属盘能够安装在盘前绝缘环中,盘前绝缘环的顶面设置有配合所述安装槽的凸起。本发明通过法拉第盘与盘前绝缘环之间的结构设计,保证了法拉第盘与盘前绝缘环端面间距的一致性,提高了传输信号的强度、可靠性和一致性。
本发明授权一种提高离子迁移谱接收信号的装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种提高离子迁移谱接收信号的装置,其特征在于,包括法拉第盘、中空绝缘柱、法拉第盘屏蔽筒、盘前绝缘环和绝缘螺母,法拉第盘包括金属盘和金属杆,金属杆插入到中空绝缘柱内,金属杆上设有与绝缘螺母配合的外螺纹,金属杆远离金属盘侧的末端设有与信号针配合的凹槽;中空绝缘柱的一端插入到法拉第盘屏蔽筒内,另一端将法拉第盘与法拉第盘屏蔽筒之间隔离绝缘;所述法拉第盘屏蔽筒上设置有一个气孔,所述法拉第盘屏蔽筒的底面设置有安装槽,所述金属盘能够安装在盘前绝缘环中,所述盘前绝缘环的顶面设置有配合所述安装槽的凸起,所述盘前绝缘环为中空结构; 所述金属盘为规则图形,其横截面积大于等于金属杆的横截面积; 所述法拉第盘的整体截面为T形或T形的末端为阶梯状,所述中空绝缘柱的截面为T形; 金属盘的直径大于等于中空绝缘柱较大直径一端的直径; 中空绝缘柱的最小直径,小于等于法拉第盘屏蔽筒的最小直径。
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