长鑫科技集团股份有限公司郭敬云获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310966124.4，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其制造方法是由郭敬云设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底包括多条位线以及覆盖每一条位线的初始位线隔离结构，基底还包括位于相邻的初始位线隔离结构之间的节点接触部；去除部分初始位线隔离结构，得到中间位线隔离结构；在基底上沉积隔离材料层，隔离材料层填满相邻的中间位线隔离结构之间的间隙；去除位于节点接触部上的隔离材料层，以得到具有隔离加宽部的终极位线隔离结构，隔离加宽部位于中间位线隔离结构上；在隔离加宽部以及节点接触部上形成多个间隔设置的着陆焊盘。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括多条位线以及覆盖每一条所述位线的初始位线隔离结构，所述基底还包括位于相邻的所述初始位线隔离结构之间的节点接触部； 去除部分所述初始位线隔离结构，得到中间位线隔离结构； 在所述基底上沉积隔离材料层，所述隔离材料层填满相邻的所述中间位线隔离结构之间的间隙； 去除位于所述节点接触部上的所述隔离材料层，以得到具有隔离加宽部的终极位线隔离结构，所述隔离加宽部位于所述中间位线隔离结构上； 在所述隔离加宽部以及所述节点接触部上形成多个间隔设置的着陆焊盘； 其中，所述去除位于所述节点接触部上的所述隔离材料层，以得到具有隔离加宽部的终极位线隔离结构，所述隔离加宽部位于所述中间位线隔离结构上，包括： 将所述隔离材料层进行化学机械研磨处理，并刻蚀去除位于所述节点接触部上的所述隔离材料层，使得在平行于所述基底所在平面的方向上，位线结构的底部宽度与顶部宽度的差值在预设范围内，所述位线结构包括所述位线以及覆盖所述位线的所述终极位线隔离结构。
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