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龙图腾网获悉北京纳米能源与系统研究所申请的专利基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器及其调制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119483585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411668414.1，技术领域涉及：H03K19/0944；该发明授权基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器及其调制方法是由孙其君;隗义琛设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器及其调制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及可重构晶体管技术领域，具体涉及基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器及其调制方法。本发明公开了一种基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器，包括：晶体管组件、TENG组件。本发明在晶体管组件中通过多层设计形成了异质晶体管部、标准场效应晶体管部，并将TENG和晶体管组件相耦合，一方面利用TENG引发电荷移动，对标准场效应晶体管部进行调制，另一方面利用TENG引发电荷移动、配合UV光对异质晶体管部产生光电反应，对载流子类型、浓度进行调控以实现对异质晶体管部的调制，从而调制出N‑P型或P‑N型类CMOS反相器。本发明的类CMOS反相器，能够根据需求进行调制，并实现了外部运动与器件的直接交互。

本发明授权基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器及其调制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于可重构晶体管构建的类CMOS反相器，其特征在于，包括： 晶体管组件，其包括：导电基底、栅绝缘层、h-BN层、沟道层、漏极、源极、输出电极；所述导电基底、栅绝缘层、h-BN层依次堆叠；所述h-BN层未完全覆盖栅绝缘层，且靠近栅绝缘层一端设置；所述沟道层的一部分堆叠在h-BN层背向栅绝缘层的一面，形成异质晶体管部；所述沟道层的另一部分堆叠在栅绝缘层背向导电基底的一面，形成标准场效应晶体管部；所述导电基底作为栅极G；所述漏极、源极、输出电极连接在沟道层背向栅绝缘层的一面，并相互隔开；所述漏极对应标准场效应晶体管部设置；所述源极对应异质晶体管部设置；所述输出电极位于漏极、源极之间，并作为类CMOS反相器的输出；所述漏极、源极具有电势差；所述沟道层为双极性材料； 以及 TENG组件，其作为类CMOS反相器的输入；所述TENG组件包括：静摩擦层、动摩擦层；所述静摩擦层与导电基底电性连接；所述动摩擦层与源极电性连接；所述静摩擦层、动摩擦层的电子束缚能力不同；所述动摩擦层用于在外力作用下产生移动，以改变动摩擦层、静摩擦层的距离； 其中，标准场效应晶体管部被调制为P型、异质晶体管部被调制为N型时，标准场效应晶体管部作为类CMOS反相器的上拉管，异质晶体管部作为类CMOS反相器的下拉管； 或，标准场效应晶体管部被调制为N型、异质晶体管部被调制为P型时，标准场效应晶体管部作为类CMOS反相器的下拉管，异质晶体管部作为类CMOS反相器的上拉管。

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