长鑫科技集团股份有限公司郑玉宏获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310989836.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制备方法是由郑玉宏;邵凯;程媛设计研发完成，并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储器及其制备方法，存储器，包括记忆材料结构，以及位于衬底内的位线、字线和沿第一方向延伸、沿第二方向与第三方向呈多行多列排布的多个有源柱；第二方向与第三方向相交且均垂直于第一方向；记忆材料结构与多个有源柱对应设置且位于所在有源柱的顶面；位线位于有源柱的正下方且沿第三方向延伸，位线沿第二方向间隔排布；字线位于位线与记忆材料结构之间，沿第二方向与第三方向延伸且周向环绕多个有源柱。至少能够在确保半导体器件性能不减小的情况下，提高存储器的集成度、性能及可靠性，并降低制备工艺的复杂度及读写控制的复杂度。
本发明授权存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内包括沿第一方向延伸、沿第二方向与第三方向呈多行多列排布的多个有源柱，所述第二方向与所述第三方向相交且均垂直于所述第一方向； 于所述有源柱正下方的衬底内形成沿所述第三方向延伸且沿所述第二方向间隔排布的位线； 形成沿所述第二方向与所述第三方向延伸且周向环绕所述多个有源柱的字线，包括：于衬底中间沟槽内形成隔离材料；回刻隔离材料及第一初始隔离结构，形成沿所述第二方向、所述第三方向延伸且周向环绕所述多个有源柱的字线沟槽，其中在所述回刻隔离材料及第一初始隔离结构的过程中或之后，形成栅介质层；在字线沟槽的底面及侧壁形成层间导电层，所述层间导电层周向环绕有源柱；再于字线沟槽内填充主导电层，回刻层间导电层及主导电层至二者的顶面低于有源柱的顶面且不低于沟道区的顶面；于所述字线沟槽内形成所述字线； 于所述多个有源柱的顶面形成一对一的记忆材料结构。
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