华南师范大学王幸福获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种高散热GaN纳米线射频器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411460168.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高散热GaN纳米线射频器件及其制备方法是由王幸福;董泽鑫;杨玉青设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高散热GaN纳米线射频器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种高散热GaN纳米线射频器件及其制备方法，该射频器件包括异质键合衬底、键合中间层、AlGaNGaN纳米线GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层、钝化层、电极层，其中电极层包括源极电极、栅极电极和漏极电极；钝化层通过正面沉积，覆盖纳米线和纳米线之间的间隙，实现高散热纳米线晶体管的制备，解决器件因自热效应造成的线性度降低；栅极开孔，控制每条纳米线上钝化层厚度，实现等差分布，利用跨导补偿效应提高器件线性度，能有效提高射频器件的栅压摆幅，从而极大地增强了器件的可用范围。
本发明授权一种高散热GaN纳米线射频器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高散热GaN纳米线射频器件，其特征在于，包括：异质衬底以及异质衬底上依次设置的SiO2键合层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层、第一钝化层、电极层及第二钝化层，所述电极层依次间隔设置源极电极、栅极电极和漏极电极，所述GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层构成纳米线阵列，通过刻蚀的方法制备，所述第一钝化层完全覆盖纳米线的上表面与侧边，所述第一钝化层的材料为氮化硼； 每条纳米沟道上方的第一钝化层厚度梯度渐变，改变每条纳米线器件的阈值电压，进而增加GaN纳米线射频器件的线粒度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南师范大学，其通讯地址为：510000 广东省广州市天河区中山大道西55号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励