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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411653441.1，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件是由陈伟中;曾祥伟;吴傲设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI‑LIGBT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极P‑well区、阴极N+区、漂移区、P‑buried区、阳极N‑buffer区、阳极P+区、主栅氧化层、多晶硅主栅、深沟槽氧化层、深沟槽氧化层、多晶硅辅助栅、二氧化硅埋氧层、衬底。该器件在阴极集成自偏置PMOS，在关断中提供过剩载流子的抽取通道提高该类器件在运用过程中的工作频率，并且在器件正向导通的时候降低饱和电流，增大器件的短路安全工作时间，提高了器件的可靠性和安全性；并且阴极集成的PMOS不需要额外的电路来控制，增加了该器件在实际运用过程中的可行性，降低了驱动电路的设计难度。

本发明授权一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件，其特征在于，该器件包括： 衬底； 位于所述衬底表面的二氧化硅埋层； 位于所述二氧化硅埋层表面的漂移区； 位于所述二氧化硅埋层表面且与所述漂移区相邻的主栅氧化层； 位于所述主栅氧化层中且被所述主栅氧化层包裹的多晶硅主栅； 位于所述漂移区中间区域的P-buried区； 位于所述P-buried区中且向上延伸出P-buried区外部的深沟槽氧化层； 位于所述深沟槽氧化层中且被所述深沟槽氧化层包裹的多晶硅辅助栅； 位于所述漂移区表面且分布在所述深沟槽氧化层一侧的阴极P-well区； 位于所述阴极P-well区表面，且位于所述深沟槽氧化层和二氧化硅埋层之间的阴极P+区和阴极N+区； 位于所述漂移区表面且分布在所述深沟槽氧化层另一侧的阳极N-buffer区； 位于所述阳极N-buffer区中且被所述阳极N-buffer区包裹的阳极P+区； 位于所述阴极N+区、阴极P+区和多晶硅辅助栅表面的发射极电极；以及 位于所述阳极P+区表面的集电极电极。

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