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龙图腾网获悉清华珠三角研究院申请的专利低压差线性稳压器、铁电存储器和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119512295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411461872.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权低压差线性稳压器、铁电存储器和电子设备是由邵天奇;黄正乐;刘厚方设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本低压差线性稳压器、铁电存储器和电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低压差线性稳压器、铁电存储器和电子设备，可应用于电子电路技术领域。本申请通过在低压差线性稳压器中设置电流境模块、第一误差放大器模块、缓冲模块、反馈模块、第二误差放大器模块和泄电模块，以通过电流境模块提供偏置电压后，通过第一误差放大器模块根据输入的基准电压和反馈电压进行误差放大处理后通过缓存模块缓存第一放大电压，并通过反馈模块根据第一放大电压向铁电芯片提供工作电压的同事并生成反馈电压，然后第二误差放大器模块根据输入的基准电压和反馈电压进行电压放大处理后得到第二放大电压，再泄电模块根据第二放大电压调节反馈模块的输出电压，从而提高铁电存储芯片的工作频率，并减少整体电路的尺寸。

本发明授权低压差线性稳压器、铁电存储器和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述稳压器包括： 电流境模块，所述电流境模块用于提供偏置电压； 第一误差放大器模块，所述第一误差放大器模块与所述电流境模块连接，并根据输入的基准电压和反馈电压进行误差放大处理后得到第一放大电压； 缓冲模块，所述缓冲模块分别与所述电流境模块和所述第一误差放大器模块连接，用于缓存所述第一放大电压； 反馈模块，所述反馈模块分别与所述电流境和所述缓冲模块连接，用于根据所述第一放大电压向铁电芯片提供工作电压，并生成所述反馈电压； 第二误差放大器模块，所述第二误差放大器模块与所述反馈模块连接，用于根据输入的基准电压和所述反馈电压进行电压放大处理后得到第二放大电压； 泄电模块，所述泄电模块分别与所述反馈模块和所述第二误差放大器模块，用于根据所述第二放大电压调节所述反馈模块的输出电压； 其中，所述反馈模块包括第二十MOS管、第四电阻、第五电阻和第六电阻； 所述第二十MOS管的源级连接输入电源； 所述第二十MOS管的栅极与所述缓冲模块连接； 所述第二十MOS管的漏极分别与所述缓冲模块和所述第四电阻的第一端连接； 所述第四电阻的第二端和所述第五电阻的第一端均与所述第一误差放大器连接； 所述第五电阻的第二端和所述第六电阻的第一端均与所述第二误差放大器模块连接； 所述第六电阻的第二端接地； 所述第二误差放大器模块包括第二十一MOS管、第二十二MOS管、第二十三MOS管、第二十四MOS管和第二十五MOS管； 所述第二十一MOS管的源级和所述第二十二MOS管的源级均连接输入电源； 所述第二十一MOS管的栅极和所述第二十二MOS管的栅极连接； 所述第二十一MOS管的漏极和所述第二十三MOS管的漏极连接； 所述第二十三MOS管的栅极与所述第六电阻的第一端连接； 所述第二十三MOS管的源级分别与所述第二十四MOS管的源级和所述第二十五MOS管的漏极连接； 所述第二十五MOS管的源级接地； 所述第二十二MOS管的漏极和所述第二十四MOS管的漏极均与所述泄电模块连接； 所述第二十四MOS管的栅极连接偏置电流； 所述泄电模块包括第二十六MOS管和第二十七MOS管； 所述第二十六MOS管的漏极与所述反馈模块的输出端连接； 所述第二十六MOS管的栅极与所述第二十四MOS管的漏极连接； 所述第二十七MOS管的栅极和所述第二十七MOS管的漏极均与所述第二十六MOS管的源级连接； 所述第二十七MOS管的源级接地。

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