长鑫科技集团股份有限公司周厚宏获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521659B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411596584.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由周厚宏;徐大林;黄晨;全钟声设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构以及半导体结构的制作方法，该半导体结构包括：衬底，衬底中具有由衬底顶面朝向衬底内部延伸的字线沟槽，且字线沟槽还沿第一方向延伸，第一方向平行于衬底顶面所在平面；埋入式字线结构，位于字线沟槽中，字线结构包括依次层叠的栅极介质层、栅极导电层以及绝缘盖层，栅极介质层覆盖字线沟槽的底部和至少部分侧壁，栅极导电层覆盖位于字线沟槽的底部以及与底部接触的部分侧壁区域上的栅极介质层的表面，绝缘盖层位于栅极导电层顶表面上；其中，栅极导电层包括金属材料导电层、半导体材料导电层以及空气间隙，半导体材料导电层和空气间隙嵌入并占据金属材料导电层的部分侧壁。该半导体结构具有较好的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底中具有由所述衬底顶面朝向所述衬底内部延伸的字线沟槽，且所述字线沟槽还沿第一方向延伸，所述第一方向平行于所述衬底顶面所在平面； 字线结构，位于所述字线沟槽中，所述字线结构包括依次层叠的栅极介质层、栅极导电层以及绝缘盖层，所述栅极介质层覆盖所述字线沟槽的底部和至少部分侧壁，所述栅极导电层覆盖位于所述字线沟槽的底部以及与所述底部接触的部分侧壁上的所述栅极介质层的表面，所述绝缘盖层位于所述栅极导电层顶表面上； 所述栅极导电层还包括金属材料导电层和半导体材料导电层，所述字线结构还包括空气间隙，其中，所述半导体材料导电层和所述空气间隙嵌入并占据所述金属材料导电层的部分侧壁，所述空气间隙的高度与所述半导体材料导电层的高度之比为1:3，所述高度方向为垂直于所述衬底表面的方向。
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