福建省晋华集成电路有限公司吴建山获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411605191.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴建山;许培育;江丽贞;张议丹;潘超;林志程设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底以及字线结构。衬底包括阵列区和围绕阵列区的外围区。衬底包括至少一被浅沟槽隔离结构所隔离的有源区。字线结构沿第一方向穿过浅沟槽隔离结构和有源区，且多个字线结构沿第一方向延伸且沿第二方向排列。字线结构包括第一字线层、第一金属氧化层以及第二金属氧化层。第一字线层包括第一部分以及第二部分，第一部分位于阵列区上；第二部分位于外围区上，其中该第二部分的上表面在垂直于衬底的方向上低于该第一部分的上表面。第一金属氧化层位于第一部分上。第二金属氧化层位于第二部分上，第二金属氧化层的厚度大于第一金属氧化层的厚度。本申请可以有效提高存储器件性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括阵列区和围绕所述阵列区的外围区，所述衬底包括至少一被浅沟槽隔离结构所隔离的有源区； 字线结构，沿第一方向穿过所述浅沟槽隔离结构和所述有源区，且多个所述字线结构沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述第二方向与所述第一方向相交； 且，所述字线结构包括： 第一字线层，包括第一部分以及第二部分，所述第一部分位于所述阵列区上；所述第二部分位于所述外围区上，其中该第二部分的上表面在垂直于所述衬底的方向上低于该第一部分的上表面； 第一金属氧化层，位于所述第一部分上； 第二金属氧化层，位于所述第二部分上，所述第二金属氧化层的厚度大于所述第一金属氧化层的厚度。
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