中电科芯片技术(集团)有限公司李光贤获国家专利权
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龙图腾网获悉中电科芯片技术(集团)有限公司申请的专利一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119533756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411644027.4，技术领域涉及：G01L19/04；该发明授权一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法是由李光贤;袁宇鹏;苗晋威;张毅;张祖伟设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微机电传感器领域，具体涉及一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法；包括：从上至下依次键合连接的盖帽层、谐振层、感压层和隔离基座；盖帽层上设有电极通孔和真空腔凹槽，真空腔凹槽中溅射有吸气剂；谐振层上设有两个Si‑SiO2复合谐振器和多个引线盘，每个引线盘上设置有金属电极；金属电极与盖帽层电极通孔数量相等且金属电极位于电极通孔正下方；感压层正面设置有两组硅岛，反面设置有三个尺寸相同的矩形敏感膜；隔离基座为玻璃台；本发明大大提高了传感器输出灵敏度，且降低了芯片加工复杂度，减少额外应力、材料的引入。
本发明授权一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低温漂MEMS谐振压力传感器敏感芯片，其特征在于，包括：从上至下依次键合连接的盖帽层、谐振层、感压层和隔离基座； 所述盖帽层上设有电极通孔和真空腔凹槽，真空腔凹槽中溅射有吸气剂； 所述谐振层上设有两个Si-SiO2复合谐振器和多个引线盘，每个引线盘上设置有金属电极；金属电极与盖帽层电极通孔数量相等且金属电极位于电极通孔正下方；Si-SiO2复合谐振器为谐振器热氧化生长氧化层后形成，谐振器包括对称的X形扭转式压阻结构、谐振梁、拾振梁、镂空式梳齿、固定梳齿、连接梁和可动锚点；所有谐振梁、拾振梁、镂空式梳齿中部通过连接梁连接，每根谐振梁两端分别与可动锚点上的悬置扭转结构连接，每根拾振梁两端分别与对称的两个X形扭转式压阻结构连接；镂空式梳齿与谐振器两侧的固定梳齿相互配合，形成驱动电容； 所述感压层正面设置有两组硅岛，反面设置有三个尺寸相同的矩形敏感膜； 所述隔离基座为玻璃台。
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