宏茂微电子(上海)有限公司李启力获国家专利权
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龙图腾网获悉宏茂微电子(上海)有限公司申请的专利一种提高多叠层闪存封装工艺良率和产品可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411534335.1，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种提高多叠层闪存封装工艺良率和产品可靠性的方法是由李启力;邵滋人设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高多叠层闪存封装工艺良率和产品可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种提高多叠层闪存封装工艺良率和产品可靠性的方法。包括如下步骤：S1，将若干芯片错位堆叠；S2，相邻芯片之间通过焊线键合，芯片焊盘与焊线处形成焊点；S3，对焊线进行光学检查，观察焊点处是否存在外物沾染；S4，如存在外物沾染，破坏该焊点与上、下层芯片焊盘之间的连接，并进行步骤S5，如不存在外物沾染，则进行下一工序；S5，再次进行光学检查，确认存在外物沾染的焊点已完全孤立。同现有技术相比，在封装工艺环节截断单个不良焊点上、下连接处，避免整个封装体中所有已贴装闪存芯片被报废，从而提高封装工艺良率。
本发明授权一种提高多叠层闪存封装工艺良率和产品可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高多叠层闪存封装工艺良率和产品可靠性的方法，其特征在于：包括如下步骤： S1，将若干芯片1错位堆叠； S2，相邻芯片1之间通过焊线2键合，芯片焊盘与焊线2处形成焊点3； S3，对焊线2进行光学检查，观察焊点3处是否存在外物沾染； S4，如存在外物沾染，破坏该焊点3与上、下层芯片1焊盘之间的连接，并进行步骤S5，如不存在外物沾染，则进行下一工序； S5，再次进行光学检查，确认存在外物沾染的焊点3已完全孤立； 所述的步骤S4中，通过机械剪切或激光烧蚀的方式，将存在外物沾染的焊点3上、下连接的焊线2进行去除。
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