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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种超快操控的锗空穴自旋量子比特器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411612500.0，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种超快操控的锗空穴自旋量子比特器件及其制备方法是由骆军委;王一徐;刘洋;管闪设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超快操控的锗空穴自旋量子比特器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种超快操控的锗空穴自旋量子比特器件及其制备方法，包括提供衬底，以及在衬底上依次形成锗量子阱、介质层和金属电极。其中，锗量子阱的内部形成有第一区间和位于第一区间两侧的第二区间。通过在第二区间内沿预设晶向进行硅元素掺杂，使得第二区间能够为第一区间持续提供预设方向和大小的单轴张应变，而通过对锗量子阱施加面内静磁场，并基于电偶极自旋共振技术在锗量子阱的第一区间中形成的二维栅控量子点，可以实现高品质、超快操控的锗空穴自旋量子比特的制备，从而克服现有锗量子阱空穴态线性自旋轨道耦合强度不足和锗空穴量子比特操控速度慢的问题。

本发明授权一种超快操控的锗空穴自旋量子比特器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超快操控的锗空穴自旋量子比特制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成锗量子阱，所述锗量子阱的内部包括用于形成二维栅控量子点的第一区间和沿预设晶向进行硅元素掺杂的第二区间，所述第二区间位于所述第一区间沿第一方向的两侧； 于所述锗量子阱结构上形成介电层； 于所述介电层上形成至少一组金属电极，每组所述金属电极包括沿第二方向相互间隔的第一电极、第二电极和第三电极，所述第三电极位于所述第一电极和所述第二电极之间； 采用电偶极自旋共振技术在所述锗量子阱中形成二维栅控量子点，包括： 于所述锗量子阱内提供面内静磁场； 于所述第一电极和所述第二电极分别施加第一阈值电压和第二阈值电压，用于为所述锗量子阱提供第一电场； 于所述第三电极施加第三阈值电压，用于为所述锗量子阱提供第二电场，以在所述第一区间内形成所述二维栅控量子点；所述第二电场的方向与所述衬底表面垂直； 其中，所述锗量子阱包括依次于所述衬底上外延形成的硅锗缓冲层、锗层和硅锗势垒层，所述第二区间形成于所述锗层的预设位置。

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