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龙图腾网获悉浙江大学绍兴研究院申请的专利一种高垂直度BTO波导的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119596461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411751682.X，技术领域涉及：G02B6/136；该发明授权一种高垂直度BTO波导的制备方法是由王曰海;邓李朋;戴庭舸设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高垂直度BTO波导的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高垂直度BTO波导的制备方法，包括步骤S1：生长Si3N4薄膜层；步骤S2：涂布光刻胶；步骤S3：刻蚀；步骤S4：浇筑BTO溶胶凝胶剂；步骤S5：退火；步骤S6：CMP；步骤S7：生长包层。本发明公开的一种高垂直度BTO波导的制备方法，通过两次刻蚀转移图案，图形转移至石英衬底，进行去胶清洗，去除晶圆表面有机物。通过定制模具将BTO溶液凝固于刻蚀出的凹槽内，通过超声将溶液填充至凹槽的每个角落。再通过CMP调整BTO的厚度与表面的平整度。生长上包层，制备出高垂直度的BTO波导，从而提高调制器性能，实现高深宽比、高绝对深度、侧壁角度垂直和侧壁光滑的钛酸钡波导结构。

本发明授权一种高垂直度BTO波导的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高垂直度BTO波导的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：使用低压力化学气相沉积法于石英衬底上生长预设厚度的Si3N4薄膜层，从而获得晶圆，并且通过CMP工艺进行处理，从而保证Si3N4薄膜层的厚度、表面粗糙度与均匀性； 步骤S2：对Si3N4薄膜层的表面进行增粘，并且涂布光刻胶； 步骤S3：进行第一步刻蚀，向刻蚀设备的工艺腔体内部通入第一刻蚀气体，并且采用第一工艺参数对上层的Si3N4薄膜层进行等离子体刻蚀；进行第二步刻蚀，向刻蚀设备的工艺腔体内部通入第二刻蚀气体，采用第二工艺参数对下层的石英衬底进行等离子体刻蚀； 步骤S4：使用去胶液和等离子清洗去除残留光刻胶，将刻蚀完毕的晶圆放置于定做的模具内，浇筑BTO溶胶凝胶剂，同时底部超声加热，利于BTO溶胶凝胶剂进入刻蚀好的沟槽内； 步骤S5：完全凝固后放入退火炉中进行退火，并且退火后BTO溶胶凝胶剂会完全凝固为一层BTO薄膜； 步骤S6：通过CMP工艺调整BTO薄膜的厚度与表面平整度； 步骤S7：使用PECVD生长包层，制备出高垂直度的BTO波导，从而提高调制器性能。

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