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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利射频HEMT器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411749353.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权射频HEMT器件结构及其制备方法是由郭炜;陈思彤;叶继春设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频HEMT器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种射频HEMT器件结构及其制备方法。所述制备方法包括：在第一衬底上依次形成GaN牺牲层、AlN背势垒层、Alx1Ga1‑x1N沟道层、Alx2Ga1‑x2N势垒层，其中0≤x1≤1，0＜x2＜0.4，形成外延结构；采用激光照射所述GaN牺牲层，以使所述GaN牺牲层至少部分分解，从而使所述外延结构与第一衬底分离，之后将所述外延结构与第二衬底通过导热连接结构相互结合，并使AlN背势垒层与第二衬底相对设置。本申请的射频HEMT器件结构在高频工作下的耗散低、散热性能好，可较好地满足面向高功率射频器件高耐压、高功率的应用需求，且制作工艺简便。

本发明授权射频HEMT器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频HEMT器件结构的制备方法，其特征在于，包括： 在第一衬底上形成GaN牺牲层； 采用多晶磁控溅射工艺在所述GaN牺牲层上形成厚度为50-500nm的AlN种子层，其中采用的磁控溅射温度为300-500℃，气压为0.1-1pa，Ar与N2流量比例为0-1，电源功率为100W-800W，之后至少通过MOCVD或MBE工艺继续在所述AlN种子层上生长AlN膜，从而形成AlN背势垒层； 或者，至少通过MOCVD或MBE工艺在所述GaN牺牲层上生长形成AlN背势垒层，且在生长过程中控制生长温度从GaN牺牲层的生长温度开始，以5-80°Cmin的升温速度逐渐提高至1100-1300℃； 在所述AlN背势垒层上依次生长形成Alx1Ga1-x1N沟道层和Alx2Ga1-x2N势垒层，其中0≤x1≤1，0x20.4，形成外延结构； 采用激光照射所述GaN牺牲层，以使所述GaN牺牲层至少部分分解，从而使所述外延结构与第一衬底分离，之后将所述外延结构与第二衬底通过导热连接结构相互结合，并使AlN背势垒层与第二衬底相对设置，其中所述第二衬底的导热系数大于第一衬底的导热系数。

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