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龙图腾网获悉朝阳微电子科技股份有限公司申请的专利一种SDB型硅MEMS高温压力传感器制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119612439B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510152211.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种SDB型硅MEMS高温压力传感器制造工艺是由夏斐;程足捷;王立伟;李飞;任建坤设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SDB型硅MEMS高温压力传感器制造工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SDB型硅MEMS高温压力传感器制造工艺，涉及微机电系统的压力检测器件技术领域，包括如下步骤：步骤S1、基于硅衬底的SOI材料的制备；步骤S2、光刻电阻区、离子注入；步骤S3、光刻腐蚀保护区；步骤S4、湿法腐蚀；步骤S5、制作引线孔和金属引线；步骤S6、金属化、钝化；步骤S7、光刻背面腐蚀区。该SDB型硅MEMS高温压力传感器制造工艺压力敏感电阻表面无损伤，均匀性和一致性好。

本发明授权一种SDB型硅MEMS高温压力传感器制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种SDB型硅MEMS高温压力传感器制造工艺，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1、基于硅衬底的SOI材料的制备：选取两块双抛光的硅片，采用高温氧化方法在硅片正面氧化生成二氧化硅绝缘层，接着将两块硅片的二氧化硅绝缘层在双三羟基甲氨基丙烷的乙二醇溶液中贴合在一起后，取出放在平整光滑的铁板电炉上加热，随后放入烘箱中烘烤，使用氮气保护完成预键合，再在氮气的保护下进行退火处理；最后将顶部硅片进行减薄处理，得到基于硅衬底的SOI材料； 步骤S2、光刻电阻区、离子注入：以经过步骤S1制成的基于硅衬底的SOI材料为基片，在基片正面通过光刻定义电阻区，并通过离子注入制作该电阻区，然后通过高温热退火激活注入离子； 步骤S3、光刻腐蚀保护区：在基片正面通过光刻定义腐蚀保护区；腐蚀保护区位于电阻区外沿，将电阻区包含于腐蚀保护区内部； 步骤S4、湿法腐蚀：通过湿法腐蚀的方式制作压敏电阻；所述湿法腐蚀采用的刻蚀液包括如下组分：乙酸、氢氟酸、茶多酚、三羟甲基甲基甘氨酸、H2O2和去离子水； 步骤S5、制作引线孔和金属引线：在基片正面制作引线孔和金属引线； 步骤S6、金属化、钝化：在经过步骤S4制成的压敏电阻上溅射用于连接压阻电阻的金属层，形成惠斯顿电桥，在上述器件的上表面通过化学气相沉积法淀积钝化层，用于保护器件； 步骤S7、光刻背面腐蚀区：对背面腐蚀区进行光刻处理。

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