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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利基于电容耦合取能的自触发方波脉冲发生器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119652290B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411596750.X，技术领域涉及：H03K3/57；该发明授权基于电容耦合取能的自触发方波脉冲发生器是由余亮;任吕衡;董守龙;姚陈果设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电容耦合取能的自触发方波脉冲发生器在说明书摘要公布了：本发明公开基于电容耦合取能的自触发方波脉冲发生器，包括电源单元、限流保护电阻、脉冲成形主电路、驱动电路；所述电源单元通过限流保护电阻为脉冲成形主电路供电；所述驱动电路调节脉冲成形主电路开关管通断，使脉冲成形主电路向外输出脉冲；本发明能够给栅源电荷提供时间常数更小的泄放回路，改善Marx电路各级的关断延时；同时也给主开关等效输出电容提供时间常数更小的充电回路，缩短Marx电路每级的输出后沿。

本发明授权基于电容耦合取能的自触发方波脉冲发生器在权利要求书中公布了：1.基于电容耦合取能的自触发方波脉冲发生器，其特征在于：包括电源单元、限流保护电阻、脉冲成形主电路、驱动电路； 所述电源单元通过限流保护电阻为脉冲成形主电路供电； 所述驱动电路调节脉冲成形主电路开关管通断，使脉冲成形主电路向外输出脉冲； 所述脉冲成形主电路包括n级串联的脉冲发生电路，每级脉冲发生电路包括隔离二极管Di、储能电容Ci、N-MOSFETSni和P-MOSFETSpi；其中，N-MOSFET和P-MOSFET作为脉冲成形主电路的主开关和整形开关；i＝1,2，…，n； 所述驱动电路包括一级外部信号驱动控制单元，以及n-1级脉冲驱动单元； 所述脉冲驱动单元包括取能电容Cp和泄能电阻Rgs； 等效输入电容Cissj为N-MOSFETSni和P-MOSFETSpi等效输入电容之和； 自触发方波脉冲发生器的工作模式包括充电模式、脉冲放电模式、驱动泄能模式、脉冲截止模式、恢复模式； 当自触发方波脉冲发生器处于充电模式时，N-MOSFETSn1关断、P-MOSFETSp1导通，脉冲成形主电路其余开关处于关断状态，储能电容Ci经前i-2个P-MOSFET的体二极管以及第一级开关Sp1充电至U0；U0为电源单元的输出电压； 当自触发方波脉冲发生器处于脉冲放电模式时，N-MOSFETSn1导通、P-MOSFETSp1关断，Cpj-Cissj支路由Ci充电；当Cissj两端电压到达N-MOSFET开启阈值电压Vgsnth时，第j级脉冲发生电路的N-MOSFETSnj导通、P-MOSFETSpj关断，重复此过程，直至各级脉冲发生电路的主开关全部导通，负载上产生-nU0脉冲电压输出；j＝i+1； 当自触发方波脉冲发生器处于驱动泄能模式时，各级脉冲发生电路的等效输入电容向并联泄能电阻释放能量，泄能电阻在脉冲输出阶段持续消耗栅源电荷； 当自触发方波脉冲发生器处于脉冲截止模式时，在外部信号控制下，P-MOSFETSp1导通，N-MOSFETSn1关断，Ciss2与Cp2并联，Cissj被反向充电至P-MOSFET开启阈值电压Vgspth，第j级脉冲发生电路的N-MOSFETSnj立刻关断，P-MOSFETSp1导通，重复此过程，直至各级脉冲发生电路的主开关全都关断，整形开关全部导通； 当自触发方波脉冲发生器处于恢复模式时，Ciss与Cp并联将通过并联电阻Rgs以及限流保护电阻释放电荷，直至Ciss与Cp的电压回至零电位，各开关恢复为充电模式的工作状态。

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