长鑫科技集团股份有限公司姜焕德获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311229610.4，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器是由姜焕德设计研发完成，并于2023-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器，其中，可编程器件包括：位线；选择晶体管，选择晶体管的第一源漏极与位线电连接；选择信号线，选择信号线与选择晶体管的栅极电连接；多个二极管；多个反熔丝单元，反熔丝单元的第一端通过对应的二极管与选择晶体管的第二源漏极电连接；多条字线，字线与对应的反熔丝单元的第二端电连接。
本发明授权可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种可编程器件，其特征在于，包括： 位线； 选择晶体管，所述选择晶体管的第一源漏极与所述位线电连接； 选择信号线，所述选择信号线与所述选择晶体管的栅极电连接； 多个二极管； 多个反熔丝单元，所述反熔丝单元的第一端通过对应的所述二极管与所述选择晶体管的第二源漏极电连接； 多条字线，所述字线与对应的所述反熔丝单元的第二端电连接； 其中，所述二极管设置于基板中，包括与所述反熔丝单元相邻设置的第一区域以及与所述第一区域相邻设置的第二区域； 与所述选择晶体管相邻设置的所述反熔丝单元对应的所述二极管的第二区域与所述第二源漏极共用。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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