上海住阳新能源科技有限公司景浩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海住阳新能源科技有限公司申请的专利基于噻吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119684320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411636440.6，技术领域涉及：C07D519/00；该发明授权基于噻吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法及应用是由景浩设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于噻吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于噻吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法及应用。所述非富勒烯受体材料具有两个或两个以上π‑A‑D‑A型重复单元的共轭分子结，包括噻吩衍生物π桥、供电子性质的芳环核心D和吸电子性质的末端单元A三类分子构筑块。本发明通过利用三类分子砌块的多选择性和组合，能够灵活地构筑有机光伏非富勒烯受体分子，噻吩衍生物π桥的引入有利于增强D‑A作用，提高共轭程度，并增强受体的分子间堆积，提高电荷迁移率。该非富勒烯受体材料利用较为常见的锡化反应和Stille偶联反应即可制备，具有更强的给拉电子作用，合适的分子堆积和较高的光伏性能。
本发明授权基于噻吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.基于噻吩衍生物π桥的非富勒烯受体材料，其特征在于：具有两个或两个以上π-A-D-A型重复单元的共轭分子结，包括噻吩衍生物π桥、供电子性质的芳环核心D和吸电子性质的末端单元A三类分子构筑块；具有式Ⅰ或式Ⅱ所示的结构： ， 其中π桥为噻吩衍生物，D1、D2和D3为稠环芳香单元，A1~A6为吸电子单元，n为2~100，所述π桥具有式Ⅲ所示的任一结构： ， 其中，R1独立的选自C1~C20的烷基； Ar为6~14元芳基或5~12元杂芳基，杂原子选自N、O和S； 所述D1、D2和D3具有式IV所示的结构： ， 式IV中，X1和X2独立的选自O，S或Se；R2和R3独立的选自C1~C24的直链或支链烷基； 所述A1和A4具有式V所示的结构： ， 式V中，X3独立的选自H、F、Cl、Br、CH3、OCH3或CN； 所述A2、A3、A5和A6具有式VI所示的结构： ， 式VI中，X3和X4独立的选自H、F、Cl、Br、CH3、OCH3或CN。
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