武汉理工大学夏志林获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种质能异步沉积的低缺陷密度薄膜材料制备装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411726282.3，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种质能异步沉积的低缺陷密度薄膜材料制备装置及方法是由夏志林;肖迎澳设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种质能异步沉积的低缺陷密度薄膜材料制备装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种质能异步沉积的低缺陷密度薄膜材料制备装置及方法，其中，质能异步沉积的低缺陷密度薄膜材料制备装置包括机架、工件架、分隔挡板、沉积离子源和清洗离子源；所述工件架转动安装于所述机架上，所述工件架上固定有基片；所述分隔挡板固定安装于所述机架上且垂直于所述工件架设置，所述分隔挡板与所述工件架具有间隙，所述分隔挡板将所述工件架所在平面分隔为沉积区和清洗区；所述沉积离子源用于向所述沉积区溅射沉积离子；所述清洗离子源用于向所述清洗区溅射清洗离子，所述清洗离子的发射方向相对所述工件架所在平面具有夹角。通过所述分隔挡板将所述工件架所在平面分隔为沉积区和清洗区，沉积和清洗工序异步进行，使单步粒子沉积速率从传统制备工艺中的nms量级降低到As量级，避免镀膜过程中附着到基片表面的颗粒污染很快被沉积离子覆盖，及时清洗镀膜时附着在基片上的颗粒污染，可以抑制节瘤缺陷的形成，提高薄膜质量。
本发明授权一种质能异步沉积的低缺陷密度薄膜材料制备装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种质能异步沉积的低缺陷密度薄膜材料制备装置，其特征在于，包括机架、工件架、分隔挡板、沉积离子源和清洗离子源，其中： 所述工件架转动安装于所述机架上，所述工件架上固定有基片； 所述分隔挡板固定安装于所述机架上且垂直于所述工件架设置，所述分隔挡板与所述工件架具有间隙，所述分隔挡板将所述工件架所在平面分隔为沉积区和清洗区； 所述沉积离子源位于所述分隔挡板的一侧，用于向所述沉积区溅射沉积离子； 所述清洗离子源位于所述分隔挡板的另一侧，用于向所述清洗区溅射清洗离子，所述清洗离子的发射方向相对所述工件架所在平面具有夹角。
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