华中科技大学刘世元获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119689777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510166374.9，技术领域涉及：G03F1/70；该发明授权一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统是由刘世元;何玭炫;刘佳敏;谷洪刚;江浩设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统在说明书摘要公布了：本申请属于光刻掩模优化领域，具体公开了一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统。通过本申请，借助于伴随方法，将掩模吸收层的衍射场在空间上展开，避免了电场之间的强干涉和波动，从而可以使用三维衍射场的一个二维切片计算梯度，此时不必保存整个三维衍射场，仅需保存几个二维切片，因此，极大节省了计算资源。同时，本申请对各步骤具体使用的算法无限定要求，实现算法的解耦。
本发明授权一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法，其特征在于，包括： S1.计算第一次衍射的衍射场、多层膜的反射和第二次衍射的衍射场，得到正向模拟衍射场； S2.获取正向模拟第一次衍射的衍射场在吸收层内部第一位置的二维切片，获取正向模拟的第二次衍射的衍射场在吸收层内部第二位置的二维切片，获取正向模拟的第二次衍射的衍射场在吸收层外部第三位置的二维切片，并将其作为掩模近场，所述二维切片是衍射场沿图案平面的二维复数数组； S3.以掩模近场为输入，计算优化目标，逆向求得优化目标对于掩模近场的偏导，将其作为伴随模拟的入射场； S4.执行伴随模拟，得到伴随模拟衍射场，在伴随模拟中，入射场的位置是掩模近场的位置； S5.获取伴随模拟第一次衍射的衍射场在吸收层内部第二位置的二维切片，获取伴随模拟第二次衍射的衍射场第一位置的二维切片； S6.综合掩模衍射场的和伴随模拟衍射场第一位置和第二位置的二维切片，计算掩模优化梯度。
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