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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利内建自测试电路及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119694372B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311250862.5，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权内建自测试电路及存储器是由陆天辰设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本内建自测试电路及存储器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种内建自测试电路及存储器。内建自测试电路包括存储阵列、命令地址生成模块、处理模块和修复模块。命令地址生成模块在进入自测模式后，按照预设测试模式生成并发送内部测试命令和内部测试地址。处理模块根据内部测试命令，按照预设测试模式向存储阵列中内部测试地址对应的存储单元写入预设数据，并从存储阵列中内部测试地址对应的存储单元中读取存储数据；根据每次读取的存储数据与对应写入的预设数据的比较结果，生成并输出故障标志。修复模块根据故障标志，将当前读取的存储数据对应的内部测试地址作为错误地址进行锁存，并在自测模式退出后对错误地址对应的存储单元进行修复。本发明可以实现内部自动检测和自动修补。

本发明授权内建自测试电路及存储器在权利要求书中公布了：1.一种内建自测试电路，其特征在于，所述内建自测试电路包括： 存储阵列； 命令地址生成模块，用于在进入自测模式后，按照预设测试模式生成并发送内部测试命令和内部测试地址； 处理模块，与所述命令地址生成模块和所述存储阵列分别连接，用于接收所述内部测试命令和所述内部测试地址；根据所述内部测试命令，按照所述预设测试模式向所述存储阵列中所述内部测试地址对应的存储单元写入预设数据，并从所述存储阵列中所述内部测试地址对应的所述存储单元中读取存储数据；以及根据每次读取的所述存储数据与对应写入的所述预设数据的比较结果，生成并输出故障标志；所述故障标志指示当前读取的所述存储数据中是否存在数据错误； 修复模块，与所述命令地址生成模块和所述处理模块分别连接，用于根据所述故障标志，将当前读取的所述存储数据对应的所述内部测试地址作为错误地址进行锁存，并在自测模式退出后对所述错误地址对应的所述存储单元进行修复； 所述存储阵列包括M个存储体组，每个所述存储体组包括N个存储体，M和N均为正整数；所述预设数据包括M*N个预设子数据，与M*N个存储体一一对应，每个预设子数据包括P位目标写入数据；所述存储数据包括M*N个存储子数据，与M*N个存储体一一对应，每个存储子数据包括P位目标读出数据，P为正整数；所述处理模块包括： M*N个判断单元，与所述存储阵列中的存储体一一对应连接，每个所述判断单元用于从对应的一个所述存储体中所述内部测试地址对应的P个所述存储单元中读取对应的一个存储子数据，并将所述存储子数据中的P位目标读出数据与对应写入的一个预设子数据中的P位目标写入数据进行逐位比较，分别生成并输出P个所述存储单元对应的P个第一比较结果；其中，若所述目标读出数据和所述目标写入数据相同时，输出的第一比较结果指示对应的所述存储单元中不存在数据错误；反之，若所述目标读出数据和所述目标写入数据不同，输出的第一比较结果指示对应的所述存储单元中存在数据错误； M*N个第一压缩单元，与所述M*N个判断单元一一对应连接；每个所述第一压缩单元用于获取对应的所述存储体中P个所述存储单元的P个第一比较结果并进行压缩处理，得到对应的所述存储体的第二比较结果，所述第二比较结果指示对应的所述存储体中是否存在数据错误； 第二压缩单元，分别与所述M*N个第一压缩单元连接，用于获取M*N个所述存储体对应的第二比较结果并进行压缩，生成并输出所述故障标志和存储体标志，所述存储体标志用于指示存在数据错误的所述存储体。

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