厦门大学尹君获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种碳化硅晶体切割方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119694461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411767993.5，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种碳化硅晶体切割方法、装置及存储介质是由尹君;叶晓芳;康闻宇;姜伟;康俊勇设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶体切割方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体切割方法、装置及存储介质，该方法包括：获取晶体内部的断层图像；基于所述断层图像，构建三维重构模型；采用已训练神经网络识别所述断层图像中不同类型的缺陷，得到缺陷类别；基于所述缺陷类别和所述三维重构模型，创建所述晶体匹配的数字孪生管理模型；对所述数字孪生管理模型进行仿真预切割，得到仿真预切割结果；基于所述仿真预切割结果，确定所述晶体的切割参数。该方法通过较为精准的仿真预切割结果，构建晶体的切割参数，从而能够更加高效的切割晶体，减少晶体耗材的浪费。
本发明授权一种碳化硅晶体切割方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体切割方法，其特征在于，所述碳化硅晶体切割方法包括： 获取晶体内部的断层图像； 确定所述断层图像的灰度值和对比度； 基于理想晶体区域，对所述断层图像的灰度值和对比度进行调整，得到已调整图像； 基于所述已调整图像，进行晶体三维重构，得到三维重构模型； 采用已训练神经网络识别所述断层图像中不同类型的缺陷，得到缺陷类别；其中，所述已训练神经网络是基于所述断层图像和所述断层图像的初始缺陷类别进行训练得到的； 基于所述三维重构模型，确定所述晶体定位边的平边和晶体生长面； 将所述晶体定位边的平边作为基准定位边，所述晶体生长面作为基准面，构建初始数字孪生管理模型； 基于所述缺陷类别，对所述初始数字孪生管理模型进行转移学习，得到能够表征晶体的缺陷空间分布情况的数字孪生管理模型； 基于预设缺陷密度阈值，在所述数字孪生管理模型中，确定可用区域； 对所述可用区域进行仿真预切割，得到仿真预切割结果； 基于所述仿真预切割结果，确定所述晶体的切割参数。
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