长鑫科技集团股份有限公司吴楠获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311222778.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由吴楠设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底；位于衬底上的存储单元组，存储单元组包括多个垂直堆叠的存储单元，存储单元包括晶体管和电容器，电容器沿平行于衬底的第一方向延伸；第一导电结构，位于存储单元组的第一侧面，第一导电结构与存储单元组沿平行于衬底的第二方向排布，第一导电结构沿垂直于衬底的第三方向延伸，第一导电结构与存储单元组中的多个电容器耦合，第一方向和第二方向相交。本公开实施例至少有利于降低半导体结构在第一方向上的长度，以及提高半导体结构的集成密度。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的存储单元组，所述存储单元组包括多个垂直堆叠的存储单元，所述存储单元包括晶体管和电容器，所述电容器沿平行于所述衬底的第一方向延伸； 第一导电结构，位于所述存储单元组的第一侧面，所述第一导电结构与所述存储单元组沿平行于所述衬底的第二方向排布，所述第一导电结构沿垂直于所述衬底的第三方向延伸，所述第一导电结构与所述存储单元组中的多个所述电容器耦合，所述第一方向和所述第二方向相交。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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