长鑫科技集团股份有限公司李晓杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311229631.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李晓杰;王艳琴设计研发完成，并于2023-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供基底，且于基底上形成交替堆叠的第一隔离层以及第二隔离层；刻蚀第一隔离层以及第二隔离层，形成电容孔组，电容孔组包括沿第一方向间隔排列且延伸至基底的至少两个电容子孔；自电容子孔对第二隔离层进行侧向刻蚀，形成环绕电容子孔的第一环绕槽；形成沿第一方向延伸且填充第一环绕槽的第一电容电极；于电容子孔的侧壁以及底部形成电容介质层，且于电容介质层表面形成第二电容电极。本公开实施例可以有效提高器件性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供基底，且于所述基底上形成交替堆叠的第一隔离层以及第二隔离层； 刻蚀所述第一隔离层以及所述第二隔离层，形成电容孔组，所述电容孔组包括沿第一方向间隔排列且延伸至所述基底的至少两个电容子孔； 自所述电容子孔对所述第二隔离层进行侧向刻蚀，形成环绕所述电容子孔的第一环绕槽； 形成沿所述第一方向延伸且填充所述第一环绕槽的第一电容电极； 于所述电容子孔的侧壁以及底部形成电容介质层，且于所述电容介质层表面形成第二电容电极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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