长鑫科技集团股份有限公司唐衍哲获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311272632.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由唐衍哲;饶得鹏设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其形成方法。其中，半导体结构包括：基底和m条字线。基底，包括分立的多个有源区柱；多个有源区柱，位于基底的正面，且均沿竖直方向延伸；多个有源区柱，沿第一方向和第二方向排布，构成m行n列的阵列。m条字线，沿第一方向延伸，且沿第二方向排布；其中，第2i‑1条和第2i条字线，位于第2i‑1行和第2i行有源区柱之间的第一沟槽，且分别覆盖对应的有源区柱的侧壁；第2i‑1条和第2i条字线之间具有空气隙。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 基底，包括分立的多个有源区柱；多个所述有源区柱，位于所述基底的正面，且均沿竖直方向延伸；多个所述有源区柱，沿第一方向和第二方向排布，构成m行n列的阵列；其中，m和n均大于1，所述第一方向和所述第二方向相交且分别垂直于所述竖直方向； m条字线，沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向排布；其中，第2i-1条和第2i条所述字线，位于第2i-1行和第2i行所述有源区柱之间的第一沟槽内，且分别覆盖对应的所述有源区柱的侧壁；第2i-1条和第2i条所述字线之间具有空气隙；其中，i大于或等于1，且小于m2；其中，所述字线的条数和所述有源区柱的行数的比例为1:1。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励