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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利3D NOR闪存结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311229318.2，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权3D NOR闪存结构是由萧聪;曾凡清设计研发完成，并于2023-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D NOR闪存结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种3DNOR闪存结构，包括：基底、台阶结构、引线结构以及信号线结构。台阶结构位于基底上，包括层叠且间隔设置的多个半导体掺杂层，且台阶结构具有沿第一方向排列的非台阶区与台阶区，台阶区暴露各半导体掺杂层的部分上表面而构成台阶平面。引线结构包括：多个接触孔结构，分别排布于各层台阶平面上；转接线层，包括多条第一转接线，每层台阶平面上的接触孔结构与同一第一转接线连接。信号线结构包括：互连孔结构，包括多个分别设置于各第一转接线上的第一互连结构，且各第一转接线上的第一互连结构在第二方向上错开设置；信号线层，包括多条第一信号线，多条第一信号线分别连接不同的第一互连结构。本申请实施例便于引出信号线。

本发明授权3D NOR闪存结构在权利要求书中公布了：1.一种3DNOR闪存结构，其特征在于，包括： 基底； 台阶结构，位于所述基底上，包括层叠且间隔设置的多个半导体掺杂层，相邻所述半导体掺杂层分别构成存储单元的源区与漏区，且所述台阶结构具有沿第一方向排列的非台阶区与台阶区，所述台阶区具有多阶台阶，且所述台阶区暴露各所述半导体掺杂层的部分上表面而构成所述台阶的台阶平面； 引线结构，包括： 多个接触孔结构，分别排布于各层所述台阶平面上，每层所述台阶平面上设有至少一个所述接触孔结构； 转接线层，包括多条第一转接线，每层所述台阶平面上的所述接触孔结构与同一所述第一转接线连接； 信号线结构，包括： 互连孔结构，包括多个分别设置于各所述第一转接线上的第一互连结构，且各所述第一转接线上的所述第一互连结构在第二方向上错开设置，所述第二方向与所述第一方向相交； 信号线层，包括沿所述第二方向排布的多条第一信号线，所述多条第一信号线分别连接不同的所述第一互连结构，且各所述第一信号线均沿所述第一方向延伸； 其中，所述非台阶区具有由所述台阶结构贯穿至所述基底的字线； 所述台阶结构还包括多个隔离层，所述半导体掺杂层与所述隔离层交替层叠设置于所述基底上； 所述3DNOR闪存结构还包括： 存储结构，由所述台阶结构贯穿至所述基底，且环绕所述字线； 沟道层，位于相邻半导体掺杂层之间，环绕所述存储结构，且被所述隔离层包围。

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