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龙图腾网获悉青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311241678.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的形成方法。所述形成方法中，形成覆盖栅极结构和衬底的硬掩膜叠层后，利用图形化掩膜保护NMOS形成区域，并进行第一非等向刻蚀将PMOS形成区域的栅极结构两侧的衬底暴露；再移除该图形化掩膜，并进行第二非等向刻蚀，在PMOS形成区域形成源漏凹槽的同时，去除NMOS形成区域的硬掩膜叠层中的部分氮化膜；之后利用硬掩膜叠层中的氧化膜保护NMOS形成区域的衬底，在PMOS形成区域形成∑形凹槽并进行异质外延；最后利用无掩膜工艺去除剩余的硬掩膜叠层以及栅极结构中的栅极上氧化层和栅极上氮化层。上述方法仅在形成图形化掩膜时用到一次光罩工艺，有助于降低CMOS工艺的成本，并且可降低对衬底的损伤，有助于改善器件性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底布置有PMOS形成区域和NMOS形成区域； 在所述PMOS形成区域和所述NMOS形成区域分别形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均至少包括堆叠于所述衬底上的栅介质层、栅极、栅极上氧化层、栅极上氮化层以及形成于所述栅极侧面的侧墙； 沿所述衬底、所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构表面保形地形成硬掩膜叠层，所述硬掩膜叠层包括氧化膜和堆叠于所述氧化膜上的氮化膜； 形成图形化掩膜，覆盖所述NMOS形成区域，并暴露出所述PMOS形成区域； 进行第一非等向刻蚀，以暴露出所述第一栅极结构中的所述栅极上氮化层以及所述PMOS形成区域位于所述第一栅极结构两侧的所述衬底表面； 移除所述图形化掩膜，使所述NMOS形成区域的所述硬掩膜叠层暴露； 进行第二非等向刻蚀，在所述PMOS形成区域位于所述第一栅极结构两侧的衬底中形成源漏凹槽，并同时刻蚀所述NMOS形成区域的所述硬掩膜叠层中的所述氮化膜，暴露出位于所述第二栅极结构顶表面和所述衬底顶表面的所述氧化膜； 刻蚀所述源漏凹槽的内壁以将所述源漏凹槽转变为∑形凹槽，并在所述∑形凹槽内进行外延生长而形成异质外延层；以及利用无掩膜工艺至少去除所述PMOS形成区域和所述NMOS形成区域剩余的所述硬掩膜叠层、所述栅极上氮化层以及所述栅极上氧化层。

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