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龙图腾网获悉宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119779789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411945206.1，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法是由王若男;王黎光;黄森;芮阳;祁海滨;徐佳美;陈国喆;冉泽平设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体硅单晶缺陷检测技术领域，具体涉及一种简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法，将硝酸铜溶液涂抹至清洗后的所述硅单晶样片表面，并对其进行高温热处理第一预设时长，使用混酸溶液对冷却后的所述硅单晶样片腐蚀第二预设时长，使用去离子水洗去所述硅单晶样片表面残留的所述混酸溶液，并将其放置于择优腐蚀液中择优腐蚀第三预设时长，再使用去离子水将所述硅单晶样片表面的择优腐蚀液清洗干净，使得具有缺陷的硅单晶样片的表面呈现出清晰且边缘规整的中心聚集环或半径环，若具有LDP缺陷，通过中心聚集环或半径环的环宽计算LDP缺陷密度，提高硅单晶LDP缺陷密度检测的准确性。

本发明授权简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法在权利要求书中公布了：1.一种简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法，其特征在于，包括以下步骤： S10.对待检测的硅单晶样片进行清洗； S20.将铜离子浓度为700ppma至1000ppma的硝酸铜溶液涂抹至清洗后的所述硅单晶样片表面，后自然晾干； S30.对晾干的所述硅单晶样片高温热处理第一预设时长，使所述硅单晶样片上的铜离子扩散，其中，高温热处理时的温度为第一预设温度，后自然冷却至室温； S40.使用混酸溶液对冷却后的所述硅单晶样片清洗第二预设时长，用于去除所述硅单晶样片表面硝酸铜溶液及氧化膜，所述混酸溶液中HF、HNO3、CH3COOH以及H2O的占比为10%至15%:20%至35%:10%至20%:20%至40%； S50.使用去离子水对所述硅单晶样片进行清洗，以去除所述硅单晶样片表面残留的所述混酸溶液； S60.将清洗后的所述硅单晶样片放置于择优腐蚀液中择优腐蚀第三预设时长，所述择优腐蚀液为wright，所述Wright由HF、HAc、CrO3、HNO3、CuNO3•3H2O组成； S70.择优腐蚀后再使用去离子水将所述硅单晶样片表面的择优腐蚀液清洗干净，并对其进行观察，若所述硅单晶样片上呈现中心聚集环或半径环，则该硅单晶样片具有LDP缺陷，若所述硅单晶样片上没有呈现中心聚集环或半径环，则该硅单晶样片不具有LDP缺陷； S80.测量所述硅单晶样片上呈现的中心聚集环的环宽或半径环的环宽，并根据所述环宽计算LDP缺陷密度，所述LDP缺陷的密度通过如下式子计算： y=0.1131x-1.4485 式中：y为LDP缺陷密度，x为环宽。

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